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氮化鎵界面態(tài)起源
2021-01-12 00:00:00
云上高博會(huì)
http://www.eczace.xyz
關(guān)鍵詞：
氮化鎵
所屬領(lǐng)域:
項(xiàng)目成果/簡介:
已有樣品/n基于超低溫的恒定電容深能級(jí)瞬態(tài)傅里葉譜表征了LPCVD-SiNx/GaN界面態(tài)，在
70K低溫下探測(cè)到近導(dǎo)帶能級(jí)ELP (EC - ET = 60 meV)具有1.5 × 10-20 cm-2的極
小捕獲界面。在國際上第一次通過高分辨透射電鏡在LPCVD-SiNx/GaN界面發(fā)現(xiàn)晶化
的Si2N2O分量，并基于Si2N2O/GaN界面模型的第一性原理分析，證明了近導(dǎo)帶界面
態(tài)主要來源于鎵懸掛鍵與其臨近原子的強(qiáng)相互作用。由于晶化的Si2N2O
項(xiàng)目階段:
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