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一種基于憶阻的非易失性 D 觸發(fā)器電路

2021-04-14 00:00:00
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關(guān)鍵詞: 觸發(fā)器電路
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所屬領(lǐng)域:
高端裝備制造
項目成果/簡介:

本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的非易失 D 觸發(fā)器電路;包括憶

阻器 ME、定值電阻 R、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS 管、

第一反相器 N1、第二反相器 N2 和第三反相器 N3 以及將憶阻器與定

值電阻串聯(lián)構(gòu)成的分壓電路模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值

隨流經(jīng)本身的電荷大小改變的特性,實現(xiàn)了觸發(fā)器的鎖存以及觸發(fā)功

能。本發(fā)明所構(gòu)建 D 觸發(fā)器不僅具有傳統(tǒng)觸發(fā)器的功能,而且具備響

應(yīng)速度快以及非易失性的特點

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