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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
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一種基于氯化鋼水溶性薄膜的OLED器件（未授權(quán)）
本實(shí)用新型提供了一種基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件，由下至上依次 包括透明陽極IT。基底、氯化摑水溶性薄膜、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸 層、電子注入層和陰極,所述的氯化綱水溶性薄膜的制備方法包括以下步驟：步 驟一、將粉末狀的氯化錮溶解于去離子水中得到混合溶液；步驟二、將上述混合 溶液旋涂在ITO基底表面上，退火得到氯化綱水溶性薄膜。該結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)在于:不 僅制備方法簡單,成本彳氐廉,環(huán)境友好,而且能夠有效的提高陽極界面載流子的 注入效率，提高OLED器件的光電性能。本實(shí)用新型屬于有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng) 域，特別涉及一種基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件。
西南大學(xué)
2021-04-13
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基于IP庫的通用MEMS器件可視化仿真與驗(yàn)證工具
“虛擬工藝”軟件可由標(biāo)準(zhǔn)工藝流程文件和掩膜版圖文件，模擬出所要加工的MEMS器件的真實(shí)三維結(jié)構(gòu)，具有良好的通用性和精度。下圖為自主開發(fā)的“虛擬工藝”軟件生成的微夾鉗三維結(jié)構(gòu)。 “虛擬運(yùn)行”軟件對器件的運(yùn)動情況進(jìn)行仿真，并與最初設(shè)計方案比較來指導(dǎo)和修正實(shí)際加工。下圖顯示了微夾鉗的虛擬運(yùn)行結(jié)果，圖中的器件顏色表示了器件運(yùn)動時的劇烈程度，紅色表示變形最劇烈的部分，淡藍(lán)色表示變形較小的部分。
南開大學(xué)
2021-04-14
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安徽大學(xué)在氮化鎵功率器件研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展
本工作中，基于安徽大學(xué)微納加工平臺以及香港科技大學(xué)納米系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)制造中心聯(lián)合制造出了兩款氮化鎵功率器件，分別實(shí)現(xiàn)了電壓驅(qū)動/電流驅(qū)動的柵極結(jié)構(gòu)，為后續(xù)的驅(qū)動設(shè)計和研發(fā)提供了器件技術(shù)支持；工作中也同時提出了兩種結(jié)構(gòu)在高溫下的穩(wěn)定性模型，為進(jìn)一步提升氮化鎵器件的性能以及可靠性打下了基礎(chǔ)。
安徽大學(xué)
2022-06-13
基于IP庫的通用MEMS器件可視化仿真與驗(yàn)證工具
項(xiàng)目的背景及目的 迄今為止，集成電路的模擬、仿真直至評測已有了非常完善的工具軟件；并已成為設(shè)計過程的重要組成部分；對設(shè)計的成功、可靠、高效都已起到?jīng)Q定性作用。而對MEMS而言，還相差甚遠(yuǎn)，這和MEMS發(fā)展的成熟程度有著直接關(guān)系。當(dāng)然，這并不意味著MEMS不需要這樣的工具和系統(tǒng)。相反，由于MEMS的功能多樣、加工復(fù)雜、分析困難、設(shè)計周期長、成本高等。特別需要一個能包括運(yùn)動仿真、評測在內(nèi)的設(shè)計工具和系統(tǒng)。這是當(dāng)前推動MEMS發(fā)展的當(dāng)務(wù)之急。
南開大學(xué)
2021-04-14
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一種面向芯片級器件的焊點(diǎn)制備方法及裝置
本發(fā)明公開了一種面向芯片級器件的焊點(diǎn)制備裝置，包括：溶液容器，用于提供焊料溶液；流量分配器，其上設(shè)置有陣列布置的多個噴嘴，其與溶液容器連通，焊料溶液通過噴嘴噴出；器件固定板，其通過一底板固定在噴嘴下方，其上平鋪有待制備焊點(diǎn)的器件，且該器件固定板與噴嘴通過高壓發(fā)生器相連，兩者之間形成高壓電場；還包括管芯模，其包括呈陣列布置的多個管芯，且各管芯一一對應(yīng)配合插裝在噴嘴中，在各噴嘴和管芯之間的空隙內(nèi)形成容納焊料溶液的空間，在電場的作用下，焊料溶液通過該噴嘴中的空間進(jìn)行流量分配后噴出形成噴點(diǎn)或噴絲，滴落于器件
華中科技大學(xué)
2021-04-14
安徽大學(xué)在氮化鎵功率器件研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展
近日，我校物質(zhì)科學(xué)與信息技術(shù)研究院唐曦教授課題組與電氣工程與自動化學(xué)院胡存剛教授、曹文平教授課題組在氮化鎵功率器件領(lǐng)域取得最新研究進(jìn)展，在氮化鎵GaNHEMT方向取得突破。
安徽大學(xué)
2022-06-01
旦大學(xué).jpg){kind=logo}
溝道的刻蝕方法、半導(dǎo)體器件及其制備方法與電子設(shè)備
本發(fā)明提供了一種溝道的刻蝕方法，提供一待刻蝕對象，對所述待刻蝕對象一次刻蝕后，交替進(jìn)行表面處理?二次刻蝕，直至刻蝕掉所有的鰭結(jié)構(gòu)的犧牲層；其中，一次刻蝕用于刻蝕掉所述若干鰭結(jié)構(gòu)中當(dāng)前寬度最小的鰭結(jié)構(gòu)的全部犧牲層以及其它寬度更寬的鰭結(jié)構(gòu)的部分犧牲層；表面處理用于在待刻蝕對象的溝道層與剩余的犧牲層的暴露在外的表面形成保護(hù)層；所述二次刻蝕用于刻蝕掉當(dāng)前寬度次之的鰭結(jié)構(gòu)的全部的犧牲層，以及所述保護(hù)層。本發(fā)明在傳統(tǒng)的刻蝕工藝中加入氧化步驟，既實(shí)現(xiàn)了對溝道層的保護(hù)，又實(shí)現(xiàn)了在不同溝道寬度的刻蝕中，減少溝道層的損失量。
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
高性能系列鈮酸鋰、鉭酸鋰晶體和光電器件
光電晶體及其器件作為激光技術(shù)的關(guān)鍵材料和器件，被諸多國家列為優(yōu)先發(fā)展的技術(shù)領(lǐng)域。本項(xiàng)目在國家 863 計劃、天津市重大科技攻關(guān)、國防科工局民口配套等項(xiàng)目支持下，瞄準(zhǔn)國家需求，圍繞產(chǎn)品化關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，取得了以下主要科技創(chuàng)新：
（1）自主設(shè)計基于經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)庫的智能計算機(jī)晶體生長自動控制系統(tǒng)，并開發(fā)了晶體生長成套裝備，應(yīng)用于多種晶體生長，得到批量推廣應(yīng)用。
（2）發(fā)展了兩種非固液同成分共熔配比晶體的制備方法，實(shí)現(xiàn)了 SLN 晶體和 SLT 晶體的批量、廉價制備。
（3）開發(fā)了寬溫度范圍工作鈮酸鋰電光調(diào) Q 晶體及電光調(diào) Q 開關(guān)，在-55℃～70℃溫度區(qū)間穩(wěn)定工作，大幅提高了軍用激光系統(tǒng)的溫度穩(wěn)定性。（4）以高溫度穩(wěn)定性電光調(diào) Q 開關(guān)為核心技術(shù)自主研發(fā)的系列高溫度穩(wěn)定性鈮酸鋰電光調(diào) Q 激光系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)和應(yīng)用。
（5）開發(fā)了滿足激光雷達(dá)等長期在線工作的低內(nèi)電場鈮酸鋰電光調(diào) Q 晶體和電光調(diào) Q 開關(guān)。
（6）開發(fā)了高抗光損傷閾值的鉭酸鋰電光調(diào) Q 晶體和電光調(diào) Q開關(guān)，典型 1064nm 波段的激光損傷閾值比鈮酸鋰晶體提高兩個數(shù)量級以上，且能夠滿足軍工寬溫度范圍要求。
南開大學(xué)
2021-04-13
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低介低損耗LTCC微波介電材料及流延技術(shù)
成果描述：我們研發(fā)的低介低損耗LTCC微波介質(zhì)材料主要參數(shù)滿足： 燒結(jié)溫度：900度 介電常數(shù)：5.8~6.5可調(diào) Qf：≥50000市場前景分析：該材料可廣泛應(yīng)用于各種LTCC天線、濾波器等微波集成器件領(lǐng)域和LTCC集成模塊的封裝領(lǐng)域，市場前景非常好。與同類成果相比的優(yōu)勢分析：目前國內(nèi)還沒有該類型的產(chǎn)品問世，相應(yīng)研究所和企業(yè)主要是購買國外的Ferro公司的A6材料。由于A6材料價格昂貴，且主成分為玻璃體系，限制了其推廣和應(yīng)用。本成果材料主要為陶瓷體系，與LTCC工藝的兼容性很好，且成本低廉，優(yōu)勢明顯。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備低延時計算卸載通信節(jié)能技術(shù)
本技術(shù)設(shè)計了高效功率控制算法，實(shí)現(xiàn)了低功耗低延時的無線傳輸。同時，由于計算任務(wù)在數(shù)據(jù)量和計算量上的差異，本技術(shù)實(shí)現(xiàn)合理高效的卸載決策，利于有效降低計算延時。可以為未來的通信網(wǎng)絡(luò)中，計算卸載物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備通信節(jié)能提供底層的技術(shù)支持。
東南大學(xué)
2021-04-11