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1. 痛點(diǎn)問題 體液免疫是獲得性免疫的重要組成部分，通過一系列的細(xì)胞激活與分化路徑，最終使得幼稚B細(xì)胞發(fā)育分化為抗原特異的記憶B細(xì)胞與漿細(xì)胞：前者可以在抗原再次入侵時迅速激活響應(yīng)，并重塑生發(fā)中心和分化為漿細(xì)胞；而后者則是高親和力抗體的來源。記憶B細(xì)胞與漿細(xì)胞共同組成免疫記憶，而有關(guān)記憶B細(xì)胞的形成、分化、功能本質(zhì)目前仍未有統(tǒng)一定論。本項(xiàng)成果首次描述了可被再次激活的記憶B細(xì)胞的群體，證明了這群表達(dá)核內(nèi)因子ZFPX的細(xì)胞在二次免疫應(yīng)答中起到?jīng)Q定性作用，缺失相關(guān)細(xì)胞群體會導(dǎo)致抗原再刺激的反應(yīng)幾乎完全消失；而該分子本身也在此過程中起到了重要作用。 本項(xiàng)成果針對的痛點(diǎn)問題是：在現(xiàn)有疫苗保護(hù)中，疫苗有效性與持續(xù)性往往難以為繼；而免疫治療手段中，針對自身免疫疾病所采取的細(xì)胞方法主要針對全體B細(xì)胞，而這樣的治療效果往往較差，或很快在停藥后出現(xiàn)反彈。兩者的核心因素都是，人們可能并未找到真正起到長效記憶保護(hù)，或者導(dǎo)致疾病的B細(xì)胞，特別是記憶B細(xì)胞的關(guān)鍵靶點(diǎn)從而定點(diǎn)去增強(qiáng)保護(hù)或者殺傷致病細(xì)胞。 2. 解決方案 本項(xiàng)成果的技術(shù)核心點(diǎn)主要是：通過小鼠模型，定義了真正具備二次應(yīng)答能力的記憶B細(xì)胞亞群，并描述了這樣的細(xì)胞群體在轉(zhuǎn)錄組、代謝、抗原刺激等方面的特征。 圍繞本項(xiàng)成果，后續(xù)延伸出的產(chǎn)品、服務(wù)和解決方案包括： 1.提供一種通過評估ZFPX陽性記憶B細(xì)胞群體比例，從而評價整體免疫反應(yīng)和長時程免疫記憶保護(hù)的方案； 2.尋找到可以改變ZFPX表達(dá)水平的藥物，從而增強(qiáng)/抑制特定記憶B細(xì)胞群體的功能，從而達(dá)到對相關(guān)疾病的改善效果； 3.尋找到可以定位、殺傷ZFPX表達(dá)細(xì)胞的膜表面分子抗體或抗體偶聯(lián)藥物，從而定點(diǎn)殺傷特定記憶B細(xì)胞群體，從而達(dá)到對相關(guān)疾病的改善效果。 合作需求 1.人才招聘：疫苗與抗體研發(fā)、抗腫瘤領(lǐng)域從業(yè)數(shù)年至數(shù)十年的高端人才； 2.CRO外包服務(wù)：抗體生產(chǎn)、藥理毒理測試與小批量工藝流程。

揭示了熱變形納米晶Nd-Fe-B磁體的晶體取向-長大機(jī)制；闡明了晶界組織調(diào)控對磁硬化的作用機(jī)理；相關(guān)研究對節(jié)約Dy、Tb等稀貴重稀土的使用具有重要意義。熱變形Nd-Fe-B磁體的最大磁能積高達(dá)411kj/m3（N50）；利用晶界擴(kuò)散技術(shù)可獲得高矯頑力（2.0T）和最大磁能積（322kJ/m3，N40）兼?zhèn)涞臒嶙冃渭{米晶Nd-Fe-B磁體；發(fā)展了一種同時改善變形磁體矯頑力和剩磁的新工藝。

徐晶課題組的研究起始于雙環(huán)二酮化合物。團(tuán)隊(duì)經(jīng)由一個經(jīng)典的有機(jī)人名反應(yīng)——曼尼希反應(yīng)，引入了關(guān)鍵的氮甲基。幾步化學(xué)修飾之后，再通過一個具有相當(dāng)挑戰(zhàn)性的氮雜邁克爾加成反應(yīng)得到化合物圖2.5。隨后，研究人員利用廈門大學(xué)黃培強(qiáng)教授發(fā)展的酰胺活化增環(huán)反應(yīng)，快捷高效地得到四環(huán)中間體圖2.7，并通過一個分子內(nèi)的SN2反應(yīng)構(gòu)建了關(guān)鍵的碳氮鍵得到化合物圖2.9。利用一個較少見的成烯化試劑，團(tuán)隊(duì)將該化合物方便快捷地延碳，并一鍋水解為羧酸，從而完成了Dapholdham

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XM-604B腦及腦動脈分布模型（11部件） ? XM-604B腦及腦動脈分布模型放大2倍，可拆分為11部件，顯示腦的外形結(jié)構(gòu)：大腦外側(cè)面主要結(jié)構(gòu)、大腦半球內(nèi)側(cè)面和底面的主要結(jié)構(gòu)、腦干各面的主要結(jié)構(gòu)、小腦的主要結(jié)構(gòu)；腦的動脈供應(yīng)：動脈的來源、動脈在腦底面的行程和聯(lián)合情況、大小腦的動脈分布。 尺寸：放大2倍，35×33×30cm 材質(zhì)：PVC材料