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一種 SWP 協議中 CLF 芯片接口電路
本發明公開了一種 SWP 協議中 CLF 芯片接口電路，包括輸入 整形模塊，輸出負載調制模塊，電流采樣模塊和輸出整形模塊；所述 輸入整形模塊的輸入端用于連接 CLF 芯片輸出的電壓調制信號，所述 輸出負載調制模塊的輸入端與所述輸入整形模塊的輸出端連接，所述 輸出負載調制模塊的輸出端用于與 UICC 芯片的 C6 引腳連接；所述電 流采樣模塊的輸入端與 UICC 芯片的 C6 引腳相連；所述輸出整形模塊 的輸入端連接至
華中科技大學
2021-04-14
一種基于模板匹配的芯片定位方法
本發明公開了一種基于模板匹配的芯片定位方法，具體包括以 下步驟:步驟一，制作模板;步驟二，對待定位圖片進行預處理，增 大背景與芯片基體的對比度;步驟三，對預處理后的圖片進行圖像分 割，得到 blob 塊，利用 blob 塊的面積和 blob 塊對應的最小外接矩形 的邊長信息排除存在連晶、缺損缺陷的芯片;獲取剩下的 blob 塊的最小外接矩形的中心位置坐標，以及短邊與水平方向的夾角;步驟四， 根據步驟三得出的中心位置坐標和
華中科技大學
2021-04-14
一種倒裝 LED 芯片在線檢測裝置
本發明公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測裝置，其包括：工作 臺模塊、收光測試組件、運輸傳輸組件、探針測試平臺、精密對準系 統，其中，在工作中，運輸傳送系統可以運輸盤片工作臺到合適的工 作區域，調整位姿之后，啟動探測對準系統對探針工作臺進行控制， 使探針與待測試的芯片接觸通電，使芯片發亮，從而收光測試組件可 以對其進行檢測。按照本發明的機械結構，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機和發光面不同側的問題，并且采用了精密圖像運動控制技術， 實現了倒裝 LED 芯片的高速精密測試，加快了芯片的檢測效率。按
華中科技大學
2021-04-14
一種倒裝 LED 芯片在線檢測方法
本發明公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測方法，該方法所涉及 的檢測裝置包括盤片裝載臺、運輸傳輸系統、收光測試組件、探針工 作臺以及探測對準系統，其中，該在線檢測方法為:在工作中，運輸 傳送系統可以運輸盤片工作臺到合適的工作區域，調整位姿之后，啟 動探測對準系統對探針工作臺進行控制，使探針與待測試的芯片接觸 通電，使芯片發亮，從而收光測試組件可以對其進行檢測。按照本發 明的機械結構，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機和發光面不同側的 問題，并且采用了精密圖像
華中科技大學
2021-04-14
一種倒裝 LED 芯片在線檢測裝置
本發明公開了一種倒裝 LED 芯片測試裝置，該裝置包括:工作臺模塊、運輸傳輸組件、收光測試組件、探針測試平臺以及精密對準 系統，其中，在工作中，運輸傳輸組件可以運輸待測試倒裝 LED 芯片 到合適的工作區域，使待測試倒裝 LED 芯片對準收光測試組件的收光 口處，調整位姿之后，啟動探針測試平臺，使探針與待測試的芯片接 觸通電，使芯片發亮，從而收光測試組件可以對其進行檢測。按照本 發明的機械結構，能夠成功地解決倒裝 LED
華中科技大學
2021-04-14
光學超晶格鈮酸鋰有源光量子芯片
國際上第一個鈮酸鋰有源光量子芯片
一、項目分類
重大科學前沿創新、關鍵核心技術突破
二、成果簡介
南京大學物理學院祝世寧院士的科研團隊，研制出國際上第一個鈮酸鋰有源光量子芯片。該芯片集成了微型化光學超晶格糾纏光源、波導量子干涉器、波分復用器及電光調制器等不同功能器件,實現了糾纏光子的高效產生、高速電光調制并完成相應的信息處理功能。該芯片由光纖耦合輸入輸出,能在室溫穩定工作，工作電壓低于3.55V，調控速率可達40GHz。芯片的多項核心指標如糾纏光子產率、調諧速率、調諧帶寬等創下當時國際最高水平，為光量子集成光學和信息處理開辟了一條和硅基芯片不同的技術路線。
成果以編輯推薦形式發表在物理學頂級期刊《物理評論快訊》(Phys. Rev. Lett. ,2014)上，被國際Physics、IEEE Spectrum等科技媒體重點評述。成果也成功入選中國光學十大進展(2014)，以此為主要成果之一的“光學超晶格中糾纏光子的產生、調控和應用”獲2020年高等學校自然科學獎一等獎。以此成果為基礎，團隊成功獲批和完成基金委重大科研儀器研制項目，研制出多種高性能量子光源。
南京大學
2022-08-12
基于電控液晶雙模微透鏡的控光芯片
本發明公開了一種基于電控液晶雙模微透鏡的控光芯片。該芯片包括面陣電控液晶雙模微透鏡；其包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電極層、電絕緣層、第二電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、公共電極層、第二基片和第二增透膜；第一電極層由其上布有 m×n 元陣列分布的圓孔的一層勻質石墨烯膜構成，公共電極層和第二電極層分別由一層與第一電極層同質的勻質石
華中科技大學
2021-04-14
一種液晶基紅外波束偏振控制芯片
本發明公開了一種液晶基紅外波束偏振控制芯片，包括芯片殼體(4)以及位于該芯片殼體(4)內的陣列化液晶偏振控制結構(3)；芯片殼體(4)上設置有第一驅控信號輸入端口(1)，第二驅控信號輸入端口(2)，第三驅控信號輸入端口(5)，第四驅控信號輸入端口(6)。紅外光波進入芯片的陣列化液晶偏振控制結構后，按照液晶偏振控制結構的陣列規模和排布情況被離散化為子波束陣。子波束與受控電場激勵下的液晶分子相互作用，被執行水平、垂直、4
華中科技大學
2021-04-14
一種芯片連晶缺陷識別方法
本發明公開了一種芯片連晶缺陷識別方法，該發明主要用于在 芯片制造過程中識別含連晶缺陷的不合格芯片；包括三個步驟：步驟 一，對采集到的芯片圖片進行模板匹配，定位出芯片的位置，根據芯 片的位置，對圖片進行截取；步驟二，對截取獲得的圖片進行預處理， 增大芯片基體與背景的差別；步驟三、對經過預處理的圖片進行分割， 獲取 blob 塊，對 blob 塊進行特征分析：首先以面積為基準判斷出是否 含連晶缺陷；對面積正常的 blob 塊，獲取其 blob 塊最小外接矩形的中 心點以及四邊中點的位置，以中心點以及四邊
華中科技大學
2021-04-14
一種單相α-Si3N4超細粉體及其制備方法
小試階段/n本發明解決單相α-Si3N4超細粉體制備技術存在的問題，如原料價格高、工藝過程復雜、不易控制、能耗高和工業化程度低，所制備的產品純度低、粉體顆粒粒徑分布不均勻和Alpha相含量低。本發明具有反應溫度低、成本低、合成工藝簡單、過程易于控制、產率高和產業化前景大的特點；所制備的單相α-Si3N4超細粉體粒度為100~500nm，無雜相、活性高、顆粒團聚小和粒度分布均勻。本發明處于待轉化階段，應用范圍廣闊，市場前景可觀，預期經濟效益優異。
武漢科技大學
2021-01-12