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本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的邏輯門電路；非門電路包括第一多路選擇器、第二多路選擇器、第一電阻、第一憶阻器和第一接地開關(guān)；第二多路選擇器的一路作為非門輸入端；第一電阻一端作為非門輸出端。與非門電路包括第三、第四、第五多路選擇器、第二電阻、第二憶阻器、第三憶阻器、第二接地開關(guān)和第三接地開關(guān)；第四多路選擇器的一路作為與非門第一輸入端；第五多路選擇器的一路作為與非門第二輸入端。第二電阻一端作為與非門輸出端。或非門電路包括

項(xiàng)目背景：海洋環(huán)境要素的大范圍、長時(shí)間、高時(shí)空分辨率 監(jiān)測和獲取對海洋與氣候預(yù)報(bào)對海洋環(huán)境安全保障意義重大。虛 擬錨系浮標(biāo)既可在無定點(diǎn)錨情況下，實(shí)現(xiàn)一定半徑范圍內(nèi)的位置 保持，并進(jìn)行相應(yīng)海域的長期、多參數(shù)、實(shí)時(shí)觀測；也可根據(jù)特 定目的作業(yè)需要，以自主走航方式實(shí)現(xiàn)觀測海域的機(jī)動調(diào)整，并 在浮標(biāo)出現(xiàn)故障或達(dá)到保養(yǎng)周期時(shí)自動返航。由于傳統(tǒng)虛擬錨系 浮標(biāo)的主體艙和推進(jìn)裝置于多相流場環(huán)境中運(yùn)動機(jī)制復(fù)雜、耦合 特征明顯，導(dǎo)致其位置保持時(shí)振動劇烈、穩(wěn)定性差，而在自主走 航時(shí)又流體阻力高、推進(jìn)能耗大，嚴(yán)重限制其作業(yè)目標(biāo)的高效實(shí) 現(xiàn)。因此，研究虛擬錨系浮標(biāo)的多體運(yùn)動耦合機(jī)理，突破減阻節(jié) 能的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，進(jìn)而提高續(xù)航與作業(yè)能力成為當(dāng)前研發(fā)新型 虛擬錨系浮標(biāo)所迫切需要解決的難題。基于流體動力學(xué)原理提出 虛擬錨系浮標(biāo)的低阻減搖設(shè)計(jì)方案；基于風(fēng)帆形式開發(fā)一種海上 清潔能源驅(qū)動的虛擬錨系浮標(biāo)節(jié)能推進(jìn)技術(shù)。 所需技術(shù)需求簡要描述：（1）設(shè)計(jì)新型浮標(biāo)結(jié)構(gòu)主體，減小 其航行阻力、降低環(huán)境流場引起的運(yùn)動響應(yīng)幅度，且具有良好的 操縱性能，并保證其有效載重≥600kg、 最高航速≥3.5 Kts； （2）開發(fā)一種適合虛擬錨系浮標(biāo)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、可靠性更高的風(fēng)帆 推進(jìn)技術(shù)，克服復(fù)雜作業(yè)環(huán)境下傳統(tǒng)軟帆自動控制難度大、風(fēng)載脈動劇烈的缺點(diǎn)，并保證高海況下浮標(biāo)主體的生命力。（3）完成 新型虛擬錨系浮標(biāo)的航行、動力響應(yīng)、推進(jìn)等性能的數(shù)值模擬與 分析，在型線結(jié)構(gòu)優(yōu)化基礎(chǔ)上，建造樣機(jī)并進(jìn)行實(shí)地海上作業(yè)測 試，驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案及關(guān)鍵技術(shù)的可行性與可靠性。（4）虛擬錨系 浮標(biāo)，長期大范圍平均航行速度≥1 Kts，24 小時(shí)內(nèi)虛擬錨泊定 點(diǎn)誤差小于 5000 米半徑概率≥80%，觀測數(shù)據(jù)可靠率不小于 95%。  對技術(shù)提供方的要求:在相關(guān)領(lǐng)域中具有豐富經(jīng)驗(yàn)的院校或 科研院所。 

衛(wèi)星在軌運(yùn)行和返回過程中需經(jīng)歷極端高低溫環(huán)境，構(gòu)件尺寸的穩(wěn)定是保證衛(wèi)星在軌高精度、返回高安全、任務(wù)高可靠的關(guān)鍵。針對衛(wèi)星搭載的某寬帶微波載荷與衛(wèi)星本體材料之間熱膨脹系數(shù)不匹配極易導(dǎo)致的載荷在軌及返回過程中載荷接收精度不穩(wěn)定、信息傳輸不連續(xù)等問題。我校陳駿教授團(tuán)隊(duì)以原創(chuàng)的負(fù)熱膨脹技術(shù)研發(fā)了具有輕質(zhì)、熱膨脹系數(shù)低、力學(xué)性能優(yōu)異、尺寸穩(wěn)定性好的高性能低膨脹鋁基復(fù)合材料，并研制了系列關(guān)鍵連接內(nèi)置件、環(huán)件等高性能低膨脹構(gòu)件，首次將負(fù)熱膨脹技術(shù)應(yīng)用到我國的衛(wèi)星上，填補(bǔ)了高性能低膨脹金屬構(gòu)件在工程應(yīng)用領(lǐng)域的空白。該技術(shù)使得某寬帶微波載荷與衛(wèi)星本體之間熱膨脹匹配性增強(qiáng)、界面應(yīng)力大幅度減小，保證了衛(wèi)星在軌與返回過程中信號高精度傳輸與接收，助力衛(wèi)星成功返回。 圖1 實(shí)踐十九號衛(wèi)星成功返回（圖片來源國家航天局） 圖2 高性能低膨脹鋁基復(fù)合材料及構(gòu)件應(yīng)用于全球首顆可重復(fù)使用返回式技術(shù)試驗(yàn)衛(wèi)星（圖片來源央視新聞?lì)l道）

“污垢熱阻測試儀”是“換熱器在線監(jiān)測儀”改型換代的新產(chǎn)品。它既保持了原產(chǎn)品測試準(zhǔn)確、性能可靠等優(yōu)點(diǎn)，又增加了控制和計(jì)算機(jī)通訊等許多新的功能。使得這一新產(chǎn)品既能滿足現(xiàn)場監(jiān)測換熱器的監(jiān)控要求,也能適合現(xiàn)場運(yùn)行換熱器的監(jiān)測需要，和計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)連網(wǎng)通訊，是實(shí)現(xiàn)工業(yè)循環(huán)水現(xiàn)代科學(xué)管理必不可少的好幫手。

已有樣品/n基于HZO鐵電FinFET的混合存儲器件。該器件在電荷俘獲模式下，表現(xiàn)出高耐 久性（>1012），高操作速度（<20ns），良好的數(shù)據(jù)保持特性（104@85oC），與DRAM 的性能相近，為在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。當(dāng)器件工作在 電籌翻轉(zhuǎn)模式下的時(shí)候，器件表現(xiàn)出非常好的數(shù)據(jù)保持特性（>10年）以及對讀取 信號串?dāng)_的免疫能力，使該器件同時(shí)具有優(yōu)越的不揮發(fā)存儲特性。

已有樣品/n通過石墨烯缺陷工程控制活性電極離子向阻變功能層中注入的路徑尺寸和數(shù)量，集中化/離散化陽離子基阻變器件中導(dǎo)電通路的分布來調(diào)控其穩(wěn)定性,此工作是該領(lǐng)域首次在相同結(jié)構(gòu)阻變器件中實(shí)現(xiàn)電流-保持特性的雙向調(diào)控，這種通用的基于二維材料阻擋概念的離子遷移調(diào)控方法，也能夠移植應(yīng)用到離子電池，離子傳感等研究領(lǐng)域。

小試階段/n特點(diǎn)及用途：本產(chǎn)品為新型高效無磷阻垢緩蝕劑，屬于水處理劑類的環(huán)境友好型產(chǎn)品，2011年獲得國家授權(quán)發(fā)明專利（專利號：ZL200910063243.9）。該產(chǎn)品主要用于各類工業(yè)冷卻循環(huán)水管的防腐和阻垢處理。特別是用于各種火力發(fā)電廠、鋼鐵廠等工業(yè)循環(huán)冷卻水中碳鋼設(shè)備的防腐阻垢處理，以取代傳統(tǒng)含磷的阻垢緩蝕劑。因?yàn)榱资窃斐伤w富營養(yǎng)化污染的主要原因（如太湖、滇池污染等均由磷所引起），從而避免了因磷而引起的水體富營養(yǎng)化污染，使環(huán)境更加友好，并且產(chǎn)品的性價(jià)比較傳統(tǒng)的磷系阻垢緩蝕劑更高，具有廣闊的市

目前，國內(nèi)外用于滅火劑的阻惰化性能測試的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)因?qū)嶒?yàn)室而異。由于各個(gè)實(shí)驗(yàn)室的研究背景、研究方向和研究手段不同的原因，已開發(fā)的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)功能比較單一，無法對滅火劑的阻惰化性能進(jìn)行多角度、全方位的考察。已有的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)主要是以滅火測試平臺為主，滅火測試平臺主要分為燃燒系統(tǒng)和滅火劑釋放系統(tǒng)，系統(tǒng)僅僅是記錄不同滅火劑撲滅不同燃料火災(zāi)所需要的時(shí)間，并以此作為評價(jià)滅火劑性能的標(biāo)準(zhǔn)。

目前，國內(nèi)外用于滅火劑的阻惰化性能測試的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)因?qū)嶒?yàn)室而異。由于各個(gè)實(shí)驗(yàn)室的研究背景、研究方向和研究手段不同的原因，已開發(fā)的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)功能比較單一，無法對滅火劑的阻惰化性能進(jìn)行多角度、全方位的考察。已有的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)主要是以滅火測試平臺為主，滅火測試平臺主要分為燃燒系統(tǒng)和滅火劑釋放系統(tǒng)，系統(tǒng)僅僅是記錄不同滅火劑撲滅不同燃料火災(zāi)所需要的時(shí)間，并以此作為評價(jià)滅火劑性能的標(biāo)準(zhǔn)。

本發(fā)明提出了一種低熱阻熱界面制備方法，首先在襯底上制備定向生長碳納米管(VACNT)，然后對VACNT 進(jìn)行改性和磁化，接著通過磁對準(zhǔn)提高 VACNT 與目標(biāo)襯底間的接觸幾率，最后利用鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn) VACNT 與目標(biāo)襯底間的鍵合。由于磁力和壓力的共同作用，VACNT 與目標(biāo)襯底間形成了保形接觸，從而有效降低了界面接觸熱阻。本發(fā)明解決了 VACNT 直接作為熱界面材料的難題，為納米封裝與互連、低熱阻封裝技術(shù)研發(fā)開辟了新思路，對促進(jìn)光電集成技術(shù)發(fā)展和功率器件的研發(fā)具有推動作用