真钱游戏-澳门线上赌场_百家乐正品_sz全讯网网站xb112(中国)·官方网站

本成果首次創新性采用指甲上采集血糖拉曼信號，并利用雙波長激發差分算法消除背景噪聲，極大提升信號信噪比，實現個體病例一天血糖變化趨勢監測。其中核心技術包括拉曼光譜差分算法和多重迭代反卷積算法進行血糖濃度預測，解決了利用光學方法實現無創監測血糖在低血糖濃度（4mmol/L）監測不準確的行業難題； 一、項目分類 關鍵核心技術突破 二、技術分析 1、研發背景： 無創血糖動態檢測技術一直是醫學工程領域研究熱點之一，也是具有挑戰性的世界性難題，我國現有近1.4億的糖尿病患者。而糖尿病作為一種慢性疾病，目前還沒有效的治療方式，血糖監測是其唯一的預防及治療方式。 解決主要問題： 解決了常規拉曼無創血糖監測背景噪聲影響大，監測準確度低等問題，首次創新性采用指甲上采集血糖拉曼信號，并利用雙波長激發差分算法消除背景噪聲，極大提升信號信噪比，實現個體病例一天血糖變化趨勢監測。其中核心技術包括拉曼光譜差分算法和多重迭代反卷積算法進行血糖濃度預測，解決了利用光學方法實現無創監測血糖在低血糖濃度（4mmol/L）監測不準確的行業難題； 創新性： 1）方法創新：實驗證明在指甲上可以有效測得拉曼信號，預測正確度達到85%（GB/T 27417-2017）以上，達到國際醫療標準； 2）算法創新：在差分算法中加入特殊約束算符對信號進行約束優化，有效的抑制了噪聲信號并使較弱的拉曼峰信號增強近百倍。 3）外觀設計創新：自主設計一款便攜式、小型化（長×寬×高=15×4×10cm），符合人體工學的無創血糖儀，用戶單手即可快速完成血糖監測； 技術先進性： 首次實現了 利用差分拉曼光譜技術在指甲處實現全天動態血糖監測。對比分析國內外所檢文獻，屬于我們首次提出。 推廣應用價值： 有望解決利用傳統拉曼光譜技術諸多問題，將極大促進拉曼光譜技術在動態血糖監測領域的應用，加快相應無創血糖儀的推出和市場推廣。 市場前景： 我國糖尿病患者近1.4億，未來三年無創血糖儀的市場將達到180億元，我們按1%市場占有率來看，銷售規模將超億元。 前期應用情況： 項目的技術開發完成，工程化樣機開發完成，處于大樣本病例數據采集測試中。

本發明公開了一種拉曼基底的制備方法及其產品與應用，首先 利用陽極氧化法在鈦片表面生成氧化鈦納米管，然后用導電膠帶將氧 化鈦納米管從鈦片上取下，使之顯露背面凸起的阻擋層，成為氧化鈦 納米柱，從表面上看即為有序的氧化鈦凸起序列，最后將碳導電膠帶 固定于載體上，在氧化鈦納米柱表面濺射納米銀，形成有序的納米銀 凸起序列，即制備獲得所述的表面增強拉曼基底。通過本發明，利用 簡單的方法將空心的氧化鈦納米管轉化為封閉的納米管，簡化

本發明公開了一種自由空間氣體拉曼散射收集裝置，尤其適用 于微量氣體成分檢測。本發明裝置包括旋轉拋物面反射鏡和平面反射 鏡；旋轉拋物面反射鏡為拋光的高反射鏡面，平面反射鏡的反射面與 拋物面反射鏡中心軸線垂直，且旋轉拋物面反射鏡和平面反射鏡構成 作為樣品池的封閉區間，在拋物面反射鏡的拋物曲線頂點設有用于對 樣品池內被測氣體進行快速更換的進氣口，平面反射鏡上設有用于實 現探測激光的入射和散射光的收集的窗口。本發明裝置結構簡

本發明公開了一種微型皮拉尼計與體硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制備體硅器件所需的絕緣層及電路引線；在硅基片的背面或正面沉積一層絕緣隔熱材料，刻蝕去除其四周部分得到絕緣隔熱層；在絕緣隔熱層上制備加熱體和電極；在沒有加熱體的一面制備圖形化的光刻膠掩膜；在有加熱體的一面沉積金屬膜；將金屬膜粘貼在表面有氧化層的硅托片上；對有光刻膠掩膜的一面進行感應耦合等離子體干法刻蝕，刻穿硅基片；去除光刻膠掩膜和金屬膜，得到集成結構。本發明能有效提高皮拉尼計的制備與其它工藝的兼容性，解決皮拉尼計與體

本發明涉及一種旋刀斜置角度、苗帶寬度可調的寬苗帶防堵開溝排種裝置。該裝置包括機架、后拋防堵單元、開溝排種單元、刀軸、傳動單元、三點懸掛單元和變速箱；多個后拋防堵單元等間距地布置在刀軸上；后拋防堵單元包括間隔距離能夠調節的左后拋防堵單體和右后拋防堵單體，左后拋防堵單體包括兩把對稱布置、能夠調節斜置角度的左旋刀；右后拋防堵單體包括兩把對稱布置、能夠調節斜置角度的右旋刀；左旋刀與右旋刀之間具有一相位角度；每個后拋防堵單元后方對應一個固接在機架的后橫梁上的開溝排種單元；開溝排種單元包括開溝器和排種口寬度能夠調節的排種器。本發明成本低、結構簡單，斜置角度、苗帶寬度調節方便，可實現不同寬度苗帶清潔和播種。

本發明公開了一種適用于陶瓷PTC裝配技術的拉膜與切膜裝置。包括送膜機構、拉膜機構和切膜機構，機架上沿薄膜傳送方向依次設有送膜機構、切膜機構和拉膜機構，切膜機構包括固定在機架上的壓板組件和刀片組件，壓板組件安裝在刀片組件上方；壓板組件包括前撐板氣缸、前撐板氣缸頂桿、前撐板、壓板、后撐板、壓板氣缸和壓板氣缸頂塊，拉膜機構包括拉膜電機、拉膜絲桿、拉膜滑軌和用于夾膜的拉膜夾板組件。本發明采用自動拉膜、切膜技術，相比手工拉膜、切膜技術，極大提高了生產效率。

在高晶體質量的狄拉克半金屬Cd3As2納米線中觀測到手征反常導致的負磁電阻效應（Nat. Commun. 6, 10137 (2015)）；并借助于納米線比表面積大的優勢，測量到起源于拓撲表面態輸運的π A-B效應(Nat. Commun. 7, 10769 (2016); Phys. Rev. B 95, 235436（2017）)。 最近，他們通過輸運測量首次在狄拉克半金屬Cd3As2納米線中觀測到連續體態和離散表面態耦合產生的Fano共振現象。研究表明直徑約為60 nm的Cd3As2納米線的表面態能帶會發生劈裂，通過柵壓調制費米能級到一個表面態子能帶的帶底時，會呈現出零偏壓微分電導峰；在磁場作用下，由于塞曼效應，零偏壓電導峰會發生劈裂，測量得到表面態的朗德因子為32；Fano共振進一步導致零偏壓微分電導峰隨偏置電壓具有非對稱的線形，并可能對材料中起源于“外爾軌道”的量子振蕩頻率產生修正。這項工作對于深入研究拓撲半金屬的輸運性質，以及設計實現可電學調控的Fano體系有著重要意義。圖1. Cd3As2納米線中量子限制效應引起的電導振蕩；(b)柵壓調制的微分電導譜。

本發明公開了一種基于拉錐結構的全光纖內窺OCT探針，包括由多段光纖熔接而成的光學組件、傳動組件以及保護套。所述光學組件有兩種結構：一種由傳輸單模光纖、過渡段拉錐光纖與大纖芯多模光纖構成；另一種由傳輸單模光纖與非對稱雙拉錐光纖構成。拉錐光纖均由大纖芯多模光纖經拉錐而成，光學組件各段光纖熔接處模場直徑一致。本發明的內窺OCT探針無需光學聚焦透鏡，結構緊湊、傳輸效率高、焦深范圍大，非常適合心腦血管的高質量OCT成像。

三爪卡盤限位拉壓循環試驗巖石試樣固定裝置，由下位夾具和上位夾具組成；下位夾具包括與試驗機底部加載座連接的下接頭、固定試樣的下端帽、連接下接頭與下端帽的下鏈條、第一中心限位機構、第二中心限位機構和第一液壓機構；上位夾具包括與試驗機頂部加載座連接的上接頭、固定試樣的上端帽、連接上接頭與上端帽的上鏈條、第三中心限位機構、第四中心限位機構和第二液壓機構；各中心限位機構均由三爪卡盤、支撐件和轉接板組成，支撐件的一端與轉接板連接，另一端與三爪卡盤連接；第一液壓機構、第二液壓機構均包括圓環形活塞及與圓環形活塞組合的圓環形油缸。

本發明公開了一種針對包括斜錐臺型閥板的專用夾具、激光熔 覆裝置以及相應的激光熔覆方法，屬于半導體激光器激光熔覆領域； 現有技術中閥板夾具在進行激光熔覆過程中，由于閥板的斜錐臺型， 熔覆不均勻，有些部位不能得到熔覆；本發明提供的專用夾具包括側 壁和底面，側壁為圓筒形，所述底面為橢圓，所述底面與所述側壁呈 一定角度，所述角度等于所述閥板斜錐臺型中心軸與所述閥板平面法 線之間的夾角；對于斜錐臺型閥板的熔覆，粉料堆積更均勻，