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本發(fā)明屬于燃燒煙氣凈化處理技術(shù)領(lǐng)域，并公開了一種利用粉煤灰降低燃燒源顆粒物的方法，包括以下步驟：(1)將粉煤灰加入酸溶液中形成固液混合物；(2)將固液混合物在微波爐內(nèi)加熱；(3)將上述微波處理過的固液混合物在濾網(wǎng)上進(jìn)行過濾；(4)將濾渣烘干；(5)將上述樣品中加入鈦酸酯溶液中改性；(6)將上述改性樣品烘干，然后磨碎篩分；(7)將吸附劑粉末加入燃燒室并與燃料混合燃燒；(8)反應(yīng)后的一部分吸附劑粉末隨煙氣排出燃燒室后經(jīng)過除塵器分離和捕集。本方法通過向燃燒室內(nèi)添加適量以粉煤灰為主要原料制備的吸附劑，有效減少燃燒過程中細(xì)顆粒物、氣態(tài)重金屬以及 SOx、HCl 等酸性氣態(tài)污染物的生成和排放。

本發(fā)明公開了一種高精度高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)源，包括啟 動電路和基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生模塊；基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生模塊包括電源抑制比增強(qiáng) 電路、基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路和溫度補(bǔ)償電路；電源抑制比增強(qiáng)電路的第 一輸入端連接至啟動電路的第一輸出端，基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路的第一輸 入端連接至啟動電路的第二輸出端，基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路的第二輸入端 連接至電源抑制比增強(qiáng)電路的第一輸出端；溫度補(bǔ)償電路的第一輸入 端連接至啟動電路的第二輸出端，溫度補(bǔ)償電路的第二輸入端

包括以下步驟：（1）加熱改性瀝青使之軟化融熔，加熱溫度為 100～130℃；（2）將融熔的改性瀝青在室溫中自然稍冷卻 5～10min；（3）將稍冷卻后的改性瀝青攪拌均勻并倒于圓柱形器皿中，瀝青高于器皿口邊緣處；（4）將裝有瀝青試樣的圓柱形器皿水平放置于-25--30℃的環(huán)境中，放置時(shí)間 3-5h；（5）取出試樣，觀測試樣表面是否平整；（6）將表面平整的試樣器皿在室溫中水平放置 2h，自然脫水后進(jìn)行圖片拍攝；將表面不平整的試樣器皿用小刀將表面刮平，使之具有良好的平整度，放回-25--30℃的環(huán)境中繼續(xù)

本發(fā)明公開了一種用于無源超高頻 RFID 標(biāo)簽芯片解調(diào)電路， 包括整流電路、取包絡(luò)電路、低通濾波電路、均值產(chǎn)生電路、比較器、 整形電路、使能控制電路、偏置電路。整流電路由主級和輔助級構(gòu)成， 采用閾值補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)，取包絡(luò)電路在使能控制電路控制下提取包絡(luò)，低 通濾波電路直接采用 RC 結(jié)構(gòu)，均值產(chǎn)生電路由運(yùn)算放大器、二極管 和電容構(gòu)成，利用峰值檢測的原理實(shí)現(xiàn)，比較器采用開環(huán)的運(yùn)算放大 器實(shí)現(xiàn)，整形電路由兩個(gè)級聯(lián)的反相器構(gòu)成，

本實(shí)用新型提供了一種地源熱地埋管的防護(hù)固定裝置，屬于地源熱地埋管領(lǐng)域，包括U形彎管和推桿；所述U形彎管下側(cè)橫管中間位置套有套管，套管對U形彎管起到防護(hù)作用；所述套管上側(cè)壁左右兩側(cè)豎直固接有伸縮棒；所述左側(cè)伸縮棒上端固接有套環(huán)，左右穿透；所述左側(cè)套環(huán)橫穿有Y形固定錐桿且Y形固定錐桿的開口向左，正對著U形彎管的豎直管；本實(shí)用新型的套管對U形彎管起到防護(hù)作用；伸縮棒根據(jù)U形彎管所在深井的深度上下收縮調(diào)節(jié)長度；當(dāng)左側(cè)的Y形固定錐桿滑至最左端時(shí)，下滑螺紋長桿，轉(zhuǎn)入連接塊上的螺紋孔內(nèi)，固定住伸縮棒的長度，從而通

基于物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云平臺的社區(qū)風(fēng)險(xiǎn)源的評估，日常監(jiān)控和處置，采用物聯(lián)網(wǎng)+運(yùn)行服務(wù)的商業(yè)模式。需要相關(guān)大數(shù)據(jù)計(jì)算和云平臺技術(shù)研究及支撐。

本發(fā)明公開了一種強(qiáng)化冬季削減農(nóng)田面源污染的保溫型生態(tài)淺溝的構(gòu)建方法，該淺溝能夠在冬季增強(qiáng)生態(tài)淺溝在冬季對農(nóng)田面源污染的治理能力。其構(gòu)建方法包括以下步驟:步驟1：用板材模擬建造生態(tài)淺溝，縱向從上至下分為三層，上層土壤層，為植物種植區(qū)；中層填料層，為火山石填充區(qū)；下層墊層，為礫石填充區(qū)，每層之間用土工布分隔，將生態(tài)淺溝沿長度方向用隔板均分為3個(gè)隔間；步驟2：對生態(tài)淺溝進(jìn)行保溫處置：用厚泡沫保溫材料粘貼于淺溝四周及底部外表面；在淺溝四周罩上加厚白色透明農(nóng)膜,頂部農(nóng)膜高出淺溝表面1.2m-1.8m，農(nóng)膜與地面接觸處的縫隙用木板壓實(shí)；每日中午溫度較高時(shí)揭開農(nóng)膜對淺溝換氣，下午3點(diǎn)后重新覆蓋，如此循環(huán)。

主要應(yīng)用領(lǐng)域：國防以及電力部門 特點(diǎn)： ？ 體積小 ？ 抗電磁干擾 （一）ns級電磁脈沖場測量系統(tǒng) 主要技術(shù)指標(biāo)：能夠?qū)ι仙龝r(shí)間、半寬均為ns量級的電磁脈沖（如核電磁脈沖）進(jìn)行時(shí)域波形測量；線性測量范圍從100 V/m到超過100 kV/m，帶寬范圍從100 kHz到1 GHz。 （二）μs級電磁脈沖場測量系統(tǒng) 主要技術(shù)指標(biāo)：能夠?qū)ι仙龝r(shí)間、半寬均為μs量級的電磁脈沖（如雷電電磁脈沖）進(jìn)行時(shí)域波形測量；線性測量范圍從100 kV/m到1000 kV/m。 （三）連續(xù)波電場測量系統(tǒng) 主要要技術(shù)指標(biāo)：帶寬范圍從100 kHz到18 GHz，靈敏度達(dá)20 mV/m。

近幾年，硅基集成電路的速度遭遇瓶頸、停滯不前，解決的辦法之一是引入光子學(xué)器件，部分取代電子學(xué)集成電路中的信號處理和互聯(lián)器件，這就要求光子學(xué)器件具有像電子學(xué)集成那樣的小尺度和三維集成能力，同時(shí)具有和電子學(xué)集成兼容的制備工藝。這些要求使得光電混合集成面臨巨大的挑戰(zhàn)，是一個(gè)世界性的難題。 光學(xué)所張家森教授團(tuán)隊(duì)與信息科學(xué)學(xué)院彭練矛教授團(tuán)隊(duì)合作，提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統(tǒng)，該系統(tǒng)與現(xiàn)有的COMS制備工藝兼容，可以實(shí)現(xiàn)光子學(xué)和電子學(xué)的三維集成和互聯(lián)，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長和偏振復(fù)用回路和具有COMS信號處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學(xué)模塊、電子學(xué)信號處理系統(tǒng)和存儲系統(tǒng)；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學(xué)集成和電子學(xué)集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學(xué)器件尺度可以和電子學(xué)器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個(gè)通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實(shí)現(xiàn)三維光電混合集成，可以實(shí)現(xiàn)更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時(shí)，有可能解決電子學(xué)集成回路在速度上的瓶頸。 上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果近期發(fā)表于最新一期《自然 電子學(xué)》雜志。 相關(guān)文獻(xiàn)：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).