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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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冰箱、冰柜及車(chē)載冷鏈用高效蓄冷材料
本項(xiàng)目開(kāi)發(fā)一種蓄放冷能力強(qiáng)、使用壽命長(zhǎng)的新型蓄冷材料。 我國(guó)電力供求的不匹配導(dǎo)致了電網(wǎng)的負(fù)荷存在峰谷，這體現(xiàn)在夏季用電高峰時(shí)段電力供應(yīng)不足，以及晚上發(fā)電無(wú)處可供。2010 年 10 月 25 日北京用電峰谷差更是達(dá)到 10:1 保供難度較大。此外，冰箱的使用也加大了電網(wǎng)供電的峰谷差。截止到 2009 年中國(guó)冰箱保有量為 1.3 億臺(tái)，家用冰箱的城市普及率已經(jīng)超過(guò) 90%，農(nóng)村普及率超過(guò) 16%，家用冰箱的年用電量達(dá) 6000 億度，占居民總用電量的 25%—45%。冰箱蓄冷采用了用電低谷期積蓄冷量，用電高峰期釋放冷量的運(yùn)行方式，有以下優(yōu)點(diǎn)：實(shí)現(xiàn)移峰填谷， 降低電費(fèi)；延緩冰箱溫度回升時(shí)間、冰箱內(nèi)溫度的波動(dòng)、冰箱壓縮機(jī)的啟動(dòng)次數(shù)，節(jié)約能源，并且可以 在特殊場(chǎng)合使用，如偏遠(yuǎn)山（牧）區(qū)，邊防哨所，旅游景點(diǎn)等場(chǎng)所。
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-13
冰箱、冰柜及車(chē)載冷鏈用高效蓄冷材料
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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數(shù)模混合集成電路、射頻集成電路、SoC 系統(tǒng)集成等 技術(shù)
項(xiàng)目簡(jiǎn)介： 南開(kāi)大學(xué)微電子專(zhuān)業(yè)以集成電路設(shè)計(jì)為主要發(fā)展目標(biāo)，現(xiàn)有一批 集成電路設(shè)計(jì)的師資力量，具有現(xiàn)成的教學(xué)體系，能夠在數(shù)模混合集 成電路、射頻集成電路、SoC 系統(tǒng)集成設(shè)計(jì)等方面提供技術(shù)服務(wù)。 具有 10 余批次集成電路流片的經(jīng)驗(yàn)，具有集成電路設(shè)計(jì)與實(shí)踐 的軟硬件條件，支持設(shè)立集成電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)基地，支持集成電路設(shè)計(jì) 的小微企業(yè)的創(chuàng)立和發(fā)展，提供技術(shù)培訓(xùn)、設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)和合作開(kāi)發(fā)等。
南開(kāi)大學(xué)
2021-04-11
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一種基于Hankel矩陣掃描的圖像置亂方法
提出一種漢克爾矩陣掃描的圖像置亂方法，算法實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，置亂度高，通用性強(qiáng)，并且能抵抗一定的攻擊，可以很好的用于信息隱藏的預(yù)處理和圖像加密，而且可以滿(mǎn)足數(shù)字圖像加密和隱藏的魯棒性要求。
遼寧大學(xué)
2021-04-11
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多噴嘴對(duì)置式干煤粉加壓氣化技術(shù)
煤炭氣化，即在一定溫度、壓力下利用氣化劑與煤炭反應(yīng)生成潔凈合成氣（CO、H2的混合物），是實(shí)現(xiàn)煤炭潔凈利用的關(guān)鍵，可為煤基化學(xué)品（合成氨、甲醇、烯烴等）、整體煤氣化聯(lián)合循環(huán)發(fā)電（IGCC）、煤基多聯(lián)產(chǎn)、直接還原煉鐵等系統(tǒng)提供龍頭技術(shù)，為現(xiàn)代能源化工、冶金等行業(yè)的技術(shù)改造和節(jié)能降耗提供技術(shù)支撐。 多噴嘴對(duì)置式干煤粉加壓氣化技術(shù)是世界上最先進(jìn)的氣流床氣化技術(shù)之一。干煤粉經(jīng)四個(gè)對(duì)置的噴嘴彌散后進(jìn)入氣化爐（可以是耐火磚為襯里，也可以以水冷壁做襯里）內(nèi)，與氧氣反應(yīng)生成含CO、H2和CO2的合成氣，從氣化爐出來(lái)的粗合成氣經(jīng)新型洗滌冷卻室、混合器、旋風(fēng)分離器和水洗塔等設(shè)備的洗滌和冷卻后進(jìn)入后序工段；氣體洗滌設(shè)備內(nèi)的黑水則經(jīng)高溫?zé)崴M(jìn)行熱量回收和除渣后成為灰水再返回氣體洗滌設(shè)備內(nèi)，全氣化系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)零排放。 該技術(shù)煤種適應(yīng)性廣，如果采用水冷壁襯里，則可氣化灰熔點(diǎn)超過(guò)1500℃的煤種，具有廣闊的應(yīng)用前景。 該技術(shù)工藝指標(biāo)先進(jìn)，以耐火磚襯里氣化爐、北宿精煤進(jìn)料為例，其合成氣中（CO+H2）含量89%～92%，碳轉(zhuǎn)化率>98%，與水煤漿進(jìn)料相比，比氧耗降低16%～21%、比煤耗2%～4%。該技術(shù)生產(chǎn)強(qiáng)度大，專(zhuān)利實(shí)施許可費(fèi)低。
華東理工大學(xué)
2021-02-01
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一種雨水調(diào)蓄池預(yù)選址的確定方法
（專(zhuān)利號(hào)：ZL 201410270343.X） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)了一種雨水調(diào)蓄池預(yù)選址的確定方法，屬于城市排水技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的一種雨水調(diào)蓄池預(yù)選址的確定方法，其主要內(nèi)容是：基于SWMM模型和城市內(nèi)澇防治標(biāo)準(zhǔn)，以雨水系統(tǒng)節(jié)點(diǎn)為評(píng)價(jià)對(duì)象，以預(yù)選調(diào)蓄池的位置為目標(biāo)，以節(jié)點(diǎn)周?chē)姆e水深度、積水范圍和積水時(shí)間為評(píng)價(jià)因子，考慮節(jié)點(diǎn)的重要性、敏感性并加權(quán)，經(jīng)轉(zhuǎn)換和計(jì)算，得出各節(jié)點(diǎn)的綜合評(píng)價(jià)指標(biāo)——積水危害指數(shù)，按積水危害指數(shù)大小進(jìn)行排序，最終結(jié)果，積水危害指數(shù)越大的節(jié)點(diǎn)確定為調(diào)蓄池預(yù)選址的地點(diǎn)。本發(fā)明考慮的影響因素更多，得到的預(yù)選址技術(shù)方案更為合理，這將為后期調(diào)蓄池布局優(yōu)化提供一個(gè)很好的初始條件(方案)，將提高“分析比較(方案優(yōu)化)”環(huán)節(jié)的工作效率。
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-11
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小型熱泵型蓄能空調(diào)水蓄熱特性的實(shí)驗(yàn)研究
設(shè)計(jì)了小型熱泵型蓄能空 調(diào)裝置并進(jìn)行試驗(yàn)，顯著提高了機(jī)組 COP 及運(yùn)行性能，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)小型蓄能空調(diào) 機(jī)組的理論研究加強(qiáng)了設(shè)備研發(fā)、技術(shù)創(chuàng)新，以適應(yīng)社會(huì)各個(gè)層面的節(jié)能需要。
上海理工大學(xué)
2021-01-12
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光-浪-流集成一體化發(fā)電裝置
技術(shù)成熟度：技術(shù)突破
目前的潮流能發(fā)電機(jī)組以直驅(qū)液壓變槳及帶變速箱的液壓變槳為主，其發(fā)電機(jī)和變速箱均采取機(jī)械動(dòng)密封方式進(jìn)行密封防水處理，海洋環(huán)境下，機(jī)械動(dòng)密封的可靠性和運(yùn)行效率往往沖突，密封層級(jí)多運(yùn)行阻力大，效率低，密封層級(jí)少，密封可靠性差，機(jī)組的運(yùn)行可靠性大大降低。光伏、波浪、海流一體化集成發(fā)電，波浪能與海流能水輪機(jī)對(duì)轉(zhuǎn)并通過(guò)磁力耦合驅(qū)動(dòng)發(fā)電機(jī)增速，具有多能互補(bǔ)、高效獲能、轉(zhuǎn)換效率高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、運(yùn)行可靠等特點(diǎn)，為規(guī)模化海洋能開(kāi)發(fā)提供創(chuàng)新型設(shè)計(jì)。
意向開(kāi)展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開(kāi)發(fā)資金支持
東北師范大學(xué)
2025-05-16
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系列高壓集成技術(shù)
本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高壓集成技術(shù)，可用于700V AC-DC電源管理IC、600V/1200V高壓柵驅(qū)動(dòng)IC、不同電壓需求的高壓開(kāi)關(guān)IC、D類(lèi)功率放大器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC等的研制，滿(mǎn)足照明、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的需求。具體包括： 硅基：（1）超低比導(dǎo)通電阻700V單晶型BCD工藝；（2）600V外延型BCD工藝；（3）1200V外延型BCD工藝；（4）48V高功率BCD工藝；（5）40V高壓雙極型工藝。 SOI基：（1）600V 厚層SOI BCD工藝；（2）650V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（3）300V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（4）200V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（5）100V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（6）40V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（7）-200V SOI高壓CDMOS工藝；（8）-100V SOI高壓CDMOS工藝。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
系列高壓集成技術(shù)
本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高壓集成技術(shù)，可用于700V AC-DC電源管理IC、600V/1200V高壓柵驅(qū)動(dòng)IC、不同電壓需求的高壓開(kāi)關(guān)IC、D類(lèi)功率放大器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC等的研制，滿(mǎn)足照明、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的需求。
電子科技大學(xué)
2021-04-10