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高品質大尺寸微波單晶石榴石薄膜材料
本項目共包括10項授權專利，其中高品質微波單晶薄膜的制備工藝獲得3項專利技術，同時將這種單晶薄膜應用在微波器件/結構、太赫茲結構/器件和自旋邏輯器件中等，共獲得7項專利技術。本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關器件研究上的瓶頸技術，獲得了高法拉第效應和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。（1）建成了我國第一條大尺寸磁
電子科技大學
2021-04-14
一種釔鐵石榴石單晶薄膜及其制備方法
專利內容是本發明針對背景技術存在的缺陷，提出了一種釔鐵石榴石單晶薄膜及其液相外延制備方法，本發明得到的釔鐵石榴石單晶薄膜的鐵磁共振線寬很窄，達到了1Oe以下（0.4Oe），薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、應力、含鉛量、雜相等都得到了較大的改善。
電子科技大學
2021-02-01
一種釔鋁石榴石納米粉體的制備方法
本發明公開了一種釔鋁石榴石(YAG)納米粉體的制備方法，其特點是將R2O3，Y2O3，鋁為原料，按照化學組成(RxY1-x)3Al5O12稱取，配成鹽溶液，Al3+的濃度為0.01～0.07mol/L，其中X=0.01～0.05；將沉淀劑配成濃度為0.5～1.5mol/L的溶液，沉淀劑摩爾數為鹽溶液總摩爾數的8～12倍，鹽溶液與沉淀劑的體積比為0.625～6.25；然后，將上述鹽溶液和沉淀劑通過蠕動泵，用并流沉淀法以2～50mL/min的鹽溶液和以2～24mL/min沉淀劑均勻混合，得到沉淀物；沉淀物經陳化，洗滌，干燥后過篩得到前驅體；前驅體在溫度900-1100℃煅燒得到摻釹釔鋁石榴石納米粉體。
四川大學
2021-04-11
一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法
專利內容是本發明針對背景技術存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法，緩解了襯底與薄膜之間的應力產生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達100µm以上。
電子科技大學
2021-02-01
石榴養生茶
棗莊嶧城數十萬余畝的冠世榴園，被譽為“中國古榴之鄉”，已載入天下吉尼斯大全。本地群眾向來有以榴葉煎茶以待高朋之美俗。據《圖經本草》紀錄：“榴葉者，主治咽喉燥渴、止下痢漏精、止血之功效。”石榴茶因此石榴嫩葉為質料，運用當代制茶工藝加工制作而成，含有十八種氨苦酸，含C、E、B2、P等多種維生素。榴葉茶具有解毒、掩護肝臟、防備血栓、壞血病及種種出血性疾病的作用，還具有降低血脂、血糖、軟化血管、加強心肌活氣，預防癌癥和動脈粥樣硬化，延緩生命朽邁之特別成果。榴芽茶是一種以石榴新苗為重要質料研制而成的茶劑，具有生津止渴、收斂固澀、止瀉止血，對糖尿病人有一定的保健作用。 本項目合作的目的是利用廠家的現有資源和江蘇省藥用植物生物技術重點實驗室的技術，提升產品品質，滿足消費者需求。項目合作單位：江蘇省藥用植物生物技術重點實驗室、棗莊康源石榴開發有限公司
江蘇師范大學
2021-04-11
太陽能薄膜電池一種關鍵技術：磁控濺射制備微晶硅薄膜
目前在工業上廣泛采用的CVD技術制備硅膜，工藝和設備復雜，成本高，且在安全和環保環節上投入巨大。我們在國內首創出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結晶度的微晶硅薄膜和納米結構硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長的微晶硅薄膜，并實現了控制工藝的穩定性和可重復性。利用磁控濺射技術成功實現微晶硅薄膜的制備是一項重大突破，從根本上克服了現有技術的缺點，具有綠色、高效、簡單等優點。目前需要合作伙伴，把該實驗室技術放大到工業規模。
大連理工大學
2021-04-14
一種納米晶Cu2O薄膜的制備方法
“一種化學浴沉積擇優取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導體領域。現有方法一般對設備要求較高，需要比較復雜的程序，而最終難以控制成本，這會嚴重影響Cu2O薄膜的應用范圍。本發明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡合；調節溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應1.0h～3.
安徽建筑大學
2021-01-12
一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法
本發明公開了一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法，其包 括的成分及該成分的原子百分比含量分別為：14.0～22.0at.％Cr，6.0～ 16.0at.％Mo，4.0～7.0at.％B，4.0～20.0at.％C，0.0～3.0at.％W 以及余 量的 Fe。其制備方法包含 S1 制備單一合金靶材；S2 選擇襯底材料， 將襯底表面進行平整化，然后清洗并吹干待用；S3 進行磁控濺射，其 中，背景真空度值不高于 5x10<sup
華中科技大學
2021-04-14
晶圓級二維半導體單晶薄膜外延生長的研究
主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大學
2021-04-11
一種超硬非晶碳薄膜的制備裝置和工藝
項目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學特性，在碳基薄膜中，是目前國際上公認的SP3鍵含量最高，超過85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達到HV≥85Gpa，可見光和紅外光透明，透光率達97%，吸收紫外光，達98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達0.2nm，摩擦系數≤0.08，電阻率達（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機滑塊，滑動環等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測量的靈敏度。
西安交通大學
2021-04-11