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本發(fā)明公開了一種在微流控芯片中同時利用抗原抗體特異性識別和細胞尺寸差別分選腫瘤細胞的 方法。本發(fā)明方法包括如下步驟:先在二氧化硅微球表面包裹一層明膠，再修飾上 anti-EpCAM，然后 與含有腫瘤細胞的樣品混合孵育，孵育后的混合樣品通過可進行尺寸分選的微流控芯片分選收集后，用 明膠酶降解二氧化硅球表面的明膠即可釋放收集的腫瘤細胞。本發(fā)明通過抗原抗體特異性識別選擇性的 擴大了吸附腫瘤細胞的微球與其他細胞的尺寸差別，分選效率及純度更高，并且分選出來的腫瘤細胞能 夠被釋放及培養(yǎng)，活性不受影響。

在天體力學、量子力學、神經(jīng)網(wǎng)絡、航天科技以及生物工程中很多模型都以哈密頓方程或者其攝動方程的形式出現(xiàn)，因此哈密頓方程一直是數(shù)學家和理論物理學家關心的熱點；KAM理論是關于可積哈密頓系統(tǒng)受攝動后其解的長期性態(tài)的理論，是牛頓力學在20世紀的重大進展，是哈密頓系統(tǒng)理論發(fā)展的里程碑，具有劃時代意義。

SlRBP1通過與SleIF4A2翻譯起始復合物結合促進靶標RNAs翻譯以調節(jié)葉綠體功能。該發(fā)現(xiàn)闡明了RNA結合蛋白依托細胞器調控番茄生長發(fā)育的機制，為番茄增產、品種改良提供了潛在育種價值。

國科大物理科學學院路紅亮副教授和宋志朋博士后等人與物理所、高能所等單位科學家合作，利用分子束外延（MBE）方法構筑了單層TiSe2/CuSe/Cu(111)異質結以調控TiSe2的CDW相。

由于受到云、氣溶膠等不利天氣的影響，基于熱紅外遙感反演的地表溫度數(shù)據(jù)存在空間不連續(xù)問題，阻礙了地表溫度產品的實際應用。

本發(fā)明公開了格列本脲在制備用于防治由植物病原菌引起的植物病害的殺菌劑中的用途，本發(fā)明通過室內毒力測定，證明了格列本脲對植物病原真菌具有良好的抑制活性。格列本脲作為殺菌劑，具有高效和低毒的優(yōu)點，適合于植物病害化學防治的要求。目前大量殺菌劑的使用，導致病原菌的抗藥性增強，而且傳統(tǒng)的殺菌劑對環(huán)境污染大、殘留高，直接威脅著人類的食品安全。而格列本脲是一種可降解、無污染、對環(huán)境友好的小分子化合物，并且其抗藥性差、對非靶標生物及人畜安全，能夠保證農產品及果蔬的高品質，符合可持續(xù)發(fā)展的要求，其研究和市場應用前景廣闊。

銅氧化物超導體自從1986年被發(fā)現(xiàn)以來，其超導機理一直被本領域科學家高度關注。具有庫侖排斥的兩個電子，為什么在高達160多開爾文（約等于零下113度）下仍然能夠相互吸引形成電子配對，并凝聚成為宏觀的量子相干態(tài)，這是橫亙在凝聚態(tài)物理領域的一個重大科學問題。2008年至今，鐵基超導體家族的發(fā)現(xiàn)和壯大也為超導機理的研究注入了新的活力。隨著研究的深入，從僅有的兩大非常規(guī)超導家族出發(fā)，實際上人們很難直接得到普遍的規(guī)律和共識。如果出現(xiàn)一個除銅基，鐵基之外的第三家族的超導體，這一情況可能得到很大的改善。2019年，美國斯坦福大學小組在介于鐵、銅之間的鎳元素所形成的氧化物Nd1-xSrxNiO2薄膜中發(fā)現(xiàn)了9-15 K左右的超導電性，它似乎具有與銅氧化物超導體類似的3d9最外層電子軌道，這為非常規(guī)超導機理的研究提供了一個嶄新的平臺。科學界非常關心它的超導形成與銅氧化物超導體有何異同，因此在學界迅速掀起了對鎳基超導體研究的熱潮。 超導體內部的單粒子激發(fā)需要一定的能量即為超導能隙，這也是超導態(tài)為什么能夠在一定溫度下穩(wěn)定存在的原因。而兩個電子形成配對的內在因素直接決定著超導能隙函數(shù)的表現(xiàn)形式。因此探測非常規(guī)超導體的機理問題的首要任務是知道超導能隙的函數(shù)形式。就鎳基超導體實驗而言，得到Nd1-xSrxNiO2超導薄膜樣品似乎比較困難，因此國際上關于Nd1-xSrxNiO2薄膜的相關實驗還不是很多，許多實驗并不能直接反映超導的能隙函數(shù)。最近南京大學聞海虎團隊和聶越峰、潘曉晴團隊通力合作，成功在Nd1-xSrxNiO2超導薄膜樣品中測量到高質量的掃描隧道譜，證明了Nd1-xSrxNiO2中存在兩類超導能隙，一類是V型隧道譜即典型的d波超導能隙，能隙最大值為3.9meV，這一點與銅氧化物超導體及其類似；而另一類是完全能隙形式（full gap）的隧道譜，能隙值為2.35meV，這一點又與銅氧化物不一致，而與鐵基超導體相似。聶越峰實驗組利用分子束外延（MBE）技術制備出高質量的Nd1-xSrxNiO3 (113)薄膜及具有初步超導轉變的Nd1-xSrxNiO2 (112)薄膜，聞海虎小組進行了后續(xù)的氫化處理，進一步優(yōu)化了Nd1-xSrxNiO2 (112)鎳基薄膜的超導轉變溫度及表面平整度，這是實驗能夠獲得成功的關鍵因素之一。這一結果揭示了Nd1-xSrxNiO2超導體的能隙函數(shù)，發(fā)現(xiàn)與銅氧化物之間既有相似之點也有不同之處，并為接下來繼續(xù)對鎳基超導體開展深入研究奠定了堅實的實驗基礎。