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本發(fā)明公開了一種基于憶阻器實質(zhì)蘊涵操作的計算與存儲融合 的處理器及其操作方法；該處理器由多個計算與存儲融合單元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通過通信網(wǎng)絡(luò)相連接。本發(fā)明 中使用一種能記憶電阻的器件，即憶阻器。在設(shè)計電路時，憶阻器的 阻變特性已參與完成相應(yīng)的計算，并將計算結(jié)果用憶阻器的阻態(tài)來保 存，省去了傳統(tǒng)計算機系統(tǒng)中將計算結(jié)果輸出到存儲器的步驟，實現(xiàn) 計算與存儲的融合。通過通信網(wǎng)絡(luò)

本發(fā)明公開了一種基于憶阻器實質(zhì)蘊涵操作的計算與存儲融合 的處理器及其操作方法；該處理器由多個計算與存儲融合單元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通過通信網(wǎng)絡(luò)相連接。本發(fā)明 中使用一種能記憶電阻的器件，即憶阻器。在設(shè)計電路時，憶阻器的 阻變特性已參與完成相應(yīng)的計算，并將計算結(jié)果用憶阻器的阻態(tài)來保 存，省去了傳統(tǒng)計算機系統(tǒng)中將計算結(jié)果輸出到存儲器的步驟，實現(xiàn) 計算與存儲的融合。通過通信網(wǎng)絡(luò)

本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法， 可編程模擬電路包括：阻變元件、第一電阻、第二電阻、N 型 MOS 管 和 P 型 MOS 管；第一電阻的一端作為可編程模擬電路的第一端口，阻 變元件的一端與第一電阻的另一端連接，阻變元件的另一端作為可編 程模擬電路的第二端口；N 型 MOS 管的漏極和 P 型 MOS 管的漏極均 連接至阻變元件的另一端，N 型 MOS 管的源極和 P 型 MOS 管的源極 均

將亞麻油改性酚醛樹脂和硼改性酚醛樹脂預聚物按一定質(zhì)量比進行混合后作為摩阻材料用雙改性樹脂酚醛樹脂基體，取一定質(zhì)量分率的玻璃纖維作為摩阻材料增強體，其余組分丁腈橡膠、二氧化硅、碳化硅、二硫化鉬。各組分混合后加入模具中，一定壓力和溫度下，在液壓成型機中保壓一段時間。然后將模具自然冷卻至室溫后脫模，最后進行熱處理消除殘余應(yīng)力，得到硼、亞麻油雙改性酚醛樹脂基摩阻復合材料。產(chǎn)品性能、指標根據(jù)摩擦系數(shù)測試結(jié)果，本項目制備的硼、亞麻油雙改性酚醛樹脂基摩阻復合材料的摩擦系數(shù)對轉(zhuǎn)速、載荷和

憶阻器，全稱記憶電阻器(Memristor)。惠普公司的研究人員首次做出納米憶阻器件，掀起憶阻研究熱潮。納米憶阻器件的出現(xiàn)，有望實現(xiàn)非易失性隨機存儲器。并且，基于憶阻的隨機存儲器的集成度、功耗、讀寫速度都要比傳統(tǒng)的隨機存儲器優(yōu)越。此外，憶阻是硬件實現(xiàn)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)突觸的最好方式。由于憶阻的非線性性質(zhì)，可以產(chǎn)生混沌電路，從而在保密通信中也有很多應(yīng)用。目前，有機憶阻器普遍具有穩(wěn)定性差、工作機理模糊不清、紅外響應(yīng)差的不足。所以，研究人員希望能夠開發(fā)出具有高穩(wěn)定性且紅外響應(yīng)好的有機憶阻器。

本發(fā)明公開了一種基于運算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路，所述阻性傳感器陣列為共用行線和列線的阻性傳感器陣列；該讀出電路包括：標準電阻行，其包括一行N個標準電阻，增設(shè)于所述阻性傳感器陣列中，從而得到一個新的共用行線和列線的（M+1）×N電阻陣列；（M+1）個運算放大器，與電阻陣列的（M+1）條行線一一對應(yīng)，每個運算放大器的反相輸入端、輸出端連接于一點后與其所對應(yīng)行線連接；控制器，其具有至少(M+1)個IO端口以及至少N個ADC采樣端口，其中的(M+1)個IO端口與所述（M+1）個運算放大器的同相輸入端

成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術(shù)指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級為千歐, 刻槽后數(shù)量級為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無線網(wǎng)絡(luò) 5 移動通信—LTE 技術(shù)

本發(fā)明公開了一種基于運算放大器的憶阻器編程電路及其操作 方法，編程電路包括：阻變元件、運算放大器、脈沖開關(guān)、第一電阻； 運算放大器的反相輸入端作為編程電路的輸入端，同時連接阻變元件 的一端；阻變元件的另一端連接脈沖開關(guān)的一端，同時連接第一電阻 的一端；第一電阻的另一端作為編程電路的輸出端，同時連接運算放 大器的輸出端；脈沖開關(guān)的另一端作為脈沖輸入端；運算放大器的同 相輸入端接地。本發(fā)明利用阻變元件的閾值電壓性質(zhì)，通過

本實用新型涉及一種大功率LED與散熱器的零熱阻結(jié)構(gòu),及基于此結(jié)構(gòu)的LED燈。大功率LED與散熱器的零熱阻結(jié)構(gòu),包括至少一個大功率LED、PCB、散熱器,所述的PCB為單面覆銅絕緣基PCB,PCB有用于安裝LED的通孔,LED電極引出腳焊接在PCB的導電線上,LED的熱沉的外平面與PCB的無導電層面平行、且高出PCB的無導電層面,所述的PCB通過固定裝置安裝于散熱器上,熱沉與散熱器之間有不含固體顆粒的粘結(jié)膠,其厚度接近為零。本實用新型具有LED熱沉到散熱器的熱阻接近為零、導熱效率高、LED結(jié)溫低、可用更大工作電流降低成本、發(fā)光效率高、壽命長、工藝簡單、成本低等優(yōu)點,可用于制造各種LED照明裝置。

項目簡介 本項目涉及新型噴動床糧食干燥設(shè)備領(lǐng)域，主要用于糧食干燥。采用一種去除啟動 阻力即去阻和靈活調(diào)節(jié)導噴距即調(diào)距的噴動床結(jié)構(gòu)，獨立設(shè)計噴動床環(huán)隙區(qū)糧食的補風 結(jié)構(gòu)，融合旋轉(zhuǎn)導向管噴動床直徑放大結(jié)構(gòu)，提供一種具有新的干燥特性和操作能力的 批式糧食噴動床干燥裝置。整個裝置相對于現(xiàn)有的噴動床干燥設(shè)備，表現(xiàn)出了整體綜合 創(chuàng)新后具有了新的干燥性能、操作性能和放大能力的優(yōu)點。本發(fā)明裝置適用于大麥、小 麥、水稻、大豆和玉米的批式干燥。成果已取得發(fā)明專利授權(quán)，發(fā)明