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H7N9亞型流感抗原快速檢測試紙條
該成果是揚州大學江蘇省家禽疫病防控工程技術研究中心自主研發的 H7N9 亞型流感抗原檢測試劑及試劑盒產品。 產品以兩株針對 H7N9 流感病毒不同抗原表位的單克隆抗體建立雙抗體夾心免疫層析快速檢測試紙條。該試紙條特異性、廣譜性強，與傳統的血凝和血凝抑制試驗相比，靈敏度更高、耗時更短； 與國外進口的同類產品有相同的檢出率，且敏感性更高，更利于臨床樣品的快速檢測，適合推廣應用。
揚州大學
2021-04-14
一種 N2 分子振轉 Raman 譜的測量系統
本發明公開了一種 N2 分子振轉 Raman 譜的測量系統。該系統由發射單元和光學接收與信號檢測單 元組成。發射單元采用種子注入的固體激光器輸出極窄線寬的 354.8 nm 紫外激光照射大氣分子；光學接 收與信號檢測單元收集由 N2 分子產生的振轉 Raman 譜信號，采用雙光柵色散系統將 384.9-388.6 nm 范 圍光以 8.3 mm nm-1 的線色散率在空間上色散開來，采用 32 通道的線陣探測器分辨并記錄 N2 分子振轉 Ram
武漢大學
2021-04-14
XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A模型
XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A
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XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A模型顯示頭部、頸部深、淺層血管和神經，在顯示頭部、頸部的肌肉基礎上顯示血管、神經的分布和走向，頭部、頸部作正中矢狀切面顯示各種器官結構，左側半腦拆下可示腦神經外形及腦神經進出腦及腦顱底部位，腦可拆下示眼外肌。
尺寸：自然大，38.5×24×50cm
材質：PVC材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
P06/N01/PSt壓電陶瓷促動器—芯明天科技
產品詳細介紹 壓電陶瓷，是一種能夠將機械能和電能互相轉換的功能陶瓷材料。壓電陶瓷到底是一種什么樣的材料呢？壓電陶瓷屬于無機非金屬材料。這是一種具有壓電效應的材料。所謂壓電效應是指某些介質在力的作用下產生形變，引起介質表面帶電，這是正壓電效應。反之，施加激勵電場，介質將產生機械形變，稱逆壓電效應。這種奇妙的效應已經被科學家應用在與人民生活密切相關的許多領域，以實現能量轉換、傳感、驅動、頻率控制等功能 特性：納米級分辨率 無摩擦，無間隙 剛度強，使用壽命長 可選擇位置傳感功能進行閉環控制 真空兼容，可在高溫或低溫下操作 機械接頭形式：螺紋、圓球、平頭 可根據客戶要求定制應用：通信，光纖調節 顯微鏡微調，機械工程 微系統技術，你米定位技術 半導體設備，精密儀器 閥門（真空管） 度量衡/干涉度量學 生命科學/生物技術
哈爾濱芯明天科技有限公司
2021-08-23
肽基核苷類雜合抗生素 Nikkoxin E 和 Nikkoxin F 及其制備方法
本發明涉及肽基核苷類雜合抗生素 Nikkoxin?E 和?Nikkoxin?F 及其制備方法，屬于生物醫藥領域。 本發明通過將尼可霉素的生物合成基因簇進行突變后導入到多氧霉素工業菌株中進行異源表達。經過質 譜和核磁共振檢測，確定產生了兩種氧霉素與尼可霉素雜合的核苷類抗生素。這兩種雜合抗生素對人類 或植物病原真菌具有更加顯著的抗菌活性。
武漢大學
2021-04-14
OM-886F頭戴式耳機拉伸（擴張）壽命試驗機（熱賣）
產品詳細介紹
歐美奧蘭儀器有限公司
2021-08-23
SONY ICD-UX565F 索尼高質量數碼錄音筆
產品詳細介紹
內存容量：8GB
記憶卡插槽：MicroSD
USB接口：有（內置直插）
錄音格式：線性PCM/MP3
錄音功能：常規錄音、焦點錄音、寬廣立體聲錄音
http://digi.163.com/16/0111/13/BD285S77001618JV.html
萬城數碼
2021-08-23
F-1L 單層玻璃反應釜.夾套玻璃反應器
產品詳細介紹單層玻璃反應釜為單層玻璃設計，里面放入反應溶媒可做攪拌反應，用熱水或熱油做加熱反應，需要冷卻時油浴鍋內可以加冷卻盤管，以便做冷卻反應，在設定恒溫條件下，在密閉的玻璃反應器內，可根據使用要求在常壓或負壓條件下進行攪拌反應，并能作反應溶液的回流與蒸餾，是現代精細化工廠、生物制藥和新材料合成的理想中試、生產設備，可在恒溫條件下進行各種溶媒合成反應，儀器反應部分為可操控全密封結構，可利用負壓連續吸入各種液體和氣體，也可在不同溫度下做回流或蒸餾F系列單層反應釜(器)可在恒溫條件下進行各種溶媒合成反應,儀器反應部分為可操控全密封結構,可利用負壓連續吸入各種液體和氣體,也可在不同溫度下做回流或蒸餾.◆蒸餾、回流可實現同時進行◆特殊長效攪拌密封◆物料與GG17玻璃和PTFE接觸,無交叉污染◆數顯轉速及高、低溫顯示,操作方便
鄭州杜甫儀器廠
2021-08-23
立體易F3教育體驗型食品3D打印機
產品詳細介紹
廣州市網能產品設計有限公司
2021-08-23
InVO4/g-C3N4復合材料的制備方法
本發明是關于半導體材料領域，旨在提供InVO4/g-C3N4復合材料的制備方法。本發明包括如下步驟：將H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色懸浮液；80℃下攪拌2h后獲得沉淀，過濾，并用蒸餾水和無水乙醇洗滌，干燥處理后獲得三聚氰胺硫酸鹽；獲得g-C3N4顆粒；將g-C3N4顆粒分散到無水乙醇中得到分散體系，將偏釩酸銨水溶液逐滴加入該混合溶液中形成黃色澄清溶液；攪拌獲得沉淀，過濾、洗滌，加入表面活性劑并進行水熱反應；所得沉淀過濾，獲得InVO4/g-C3N4復合材料。本發明的有益效果是：解決了InVO4納米晶的形核、生長問題，促使InVO4納米晶在疏松g-C3N4顆粒表面原位生長。
浙江大學
2021-04-13