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項(xiàng)目 參數(shù) 輸入電壓 AC100～240V 頻率范圍 50/60Hz 功率因數(shù) ≥0.95 認(rèn)證符合 CE/RoHS 電路保護(hù) 短路保護(hù)，過(guò)流保護(hù)，過(guò)電壓保護(hù)，抗浪涌，防雷及過(guò)溫保護(hù) 光源 Epistar/Sanan 晶元/三安 功率 60/100/200/300W（±5%） 燈具尺寸（mm） 600*600/600*900/600*1200/900*1200 配光曲線 Refer to "light distribution curve" 光斑 對(duì)稱配光 相關(guān)色溫 3000-6500K 燈具光效 ≥100lm/W 顯色指數(shù) ≥70 外形尺寸 詳見(jiàn)尺寸圖 凈重 詳見(jiàn)重量圖 防護(hù)等級(jí) 室內(nèi)使用 工作濕度 10%～95%R.H. 工作溫度 -30℃～+50℃ 儲(chǔ)存溫度 -40℃～50℃ 外殼溫度 ＜60°(Ta=25℃) 壽命Ta=25℃ 50000H

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介     隨著社會(huì)的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體行業(yè)迅猛發(fā)展，LED作為其中的一款產(chǎn)品，迅速出現(xiàn)在街頭巷尾：家用節(jié)能燈，LED電視，小店鋪商用廣告牌，購(gòu)物商場(chǎng)大屏顯示等等，各種新產(chǎn)品層出不窮。本款儀器涉及LED的多種應(yīng)用：靜態(tài)顯示，動(dòng)態(tài)顯示，單色顯示，雙色顯示，三基色原理，LED點(diǎn)陣，LED廣告牌，LED燈演示音頻解碼，通過(guò)該產(chǎn)品，學(xué)生可以加強(qiáng)動(dòng)手能力，在理解原理的基礎(chǔ)上，由一個(gè)單元板設(shè)計(jì)任意長(zhǎng)度的LED點(diǎn)陣屏。為想要從事LED設(shè)計(jì)行業(yè)的學(xué)生走向社會(huì)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。 二、教學(xué)目的 1、掌握LED靜態(tài)顯示和動(dòng)態(tài)顯示原理，對(duì)比各自的優(yōu)缺點(diǎn)，根據(jù)實(shí)際需要設(shè)計(jì)電路； 2、掌握三基色（RGB）LED顯示原理，參照RGB配色表調(diào)節(jié)出各種顏色（256×256×256）； 3、掌握LED點(diǎn)陣顯示原理，使學(xué)生能夠用單片機(jī)控制LED點(diǎn)陣顯示漢字和簡(jiǎn)單圖片； 4、在掌握LED顯示控制原理的基礎(chǔ)上，能夠利用單元板拼出任意尺寸的顯示屏，并通過(guò)單片機(jī)進(jìn)行控制； 5、LED趣味應(yīng)用：LED燈顯示音樂(lè)頻率的高低； 6、用專用軟件編輯顯示內(nèi)容，通過(guò)LED廣告顯示屏顯示； 三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 1、一位數(shù)碼管靜態(tài)顯示實(shí)驗(yàn)； 2、四位一體數(shù)碼管動(dòng)態(tài)掃描實(shí)驗(yàn)； 3、RGB三基色LED調(diào)色實(shí)驗(yàn)； 4、8*8藍(lán)色LED點(diǎn)陣漢字及圖片顯示實(shí)驗(yàn)； 5、8*8點(diǎn)陣動(dòng)態(tài)顯示音樂(lè)頻譜實(shí)驗(yàn)； 6、紅綠雙色（32*64）LED廣告屏顯示內(nèi)容編輯實(shí)驗(yàn)； 四、實(shí)驗(yàn)硬件配置     1、STC89C52單片機(jī)及其外圍組件一套；     2、一位數(shù)碼管及其組件一個(gè)；     3、四位一體數(shù)碼管及其組件一個(gè)；     4、8*8藍(lán)色點(diǎn)陣LED塊2個(gè)，尺寸60mm×60mm；     5、音頻解碼顯示可搭建組件一套；     6、紅綠雙色（32*64）LED廣告屏一塊，尺寸300mm×160mm； 五、預(yù)期效果      通過(guò)本教學(xué)儀器，學(xué)生可以對(duì)顯示原理，顯色原理，單片機(jī)C語(yǔ)言編程，下載，調(diào)試，LED單元板顯示原理，有一個(gè)更加深入的認(rèn)識(shí)，由感性了解到理性掌握。如果學(xué)生掌握全部知識(shí)，完全可以獨(dú)立設(shè)計(jì)出一個(gè)單色任意長(zhǎng)度LED單色顯示屏。若想要設(shè)計(jì)雙色或更加進(jìn)一步設(shè)計(jì)全彩顯示還需要在C語(yǔ)言和控制器方面加深學(xué)習(xí)。

一、產(chǎn)品介紹         “MXY8301 LED/LD光譜分布測(cè)試儀”是一款能夠探測(cè)與分析各種光源在可見(jiàn)譜區(qū)范圍內(nèi)分布的“CCD快速光譜儀”，它的探測(cè)器是線陣CCD多通道探測(cè)器，能夠探測(cè)各種顏色LED發(fā)光管和其他發(fā)光體的光譜分布。 由以下幾部分構(gòu)成：由狹縫、分光光柵、凹面鏡和線陣CCD光譜探測(cè)器等部件構(gòu)成； 狹縫：儀器信號(hào)光輸入口為可調(diào)縫寬的狹縫（縫寬可調(diào)）； 被測(cè)LED安裝裝置：用來(lái)安裝被測(cè)LED等光源； 被測(cè)LD安裝裝置：用來(lái)安裝被測(cè)LD光源； 衍射光柵：采用600lp/mm的衍射光柵對(duì)入射光進(jìn)行分光； 凹面鏡：將分出的發(fā)射光譜匯聚到線陣CCD像敏陣列上； 光譜探測(cè)器：用線陣CCD傳感器為探測(cè)器，以便同步獲得更多的光譜譜線； 數(shù)據(jù)采集：儀器采用12位A/D數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)；以便獲得更高的“強(qiáng)度”分辨率； 接口方式：采用0接口方式與計(jì)算機(jī)連接； 二、教學(xué)目的 1、能夠同步快速探測(cè)可見(jiàn)光范圍的多通道光譜，并對(duì)譜線進(jìn)行分析； 2、進(jìn)行“LED光譜分布的測(cè)量實(shí)驗(yàn)”，學(xué)習(xí)光譜探測(cè)原理與光譜分析方法； 3、進(jìn)行“LED發(fā)光光譜半寬度的測(cè)量實(shí)驗(yàn)”認(rèn)識(shí)LED發(fā)光光譜特性和測(cè)量方法； 4、利用設(shè)備提供的“SDK”軟件開(kāi)發(fā)包進(jìn)行課程設(shè)計(jì)與畢業(yè)設(shè)計(jì)； 三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 1、測(cè)試各種顏色LED的光譜分布； 2、測(cè)試LD半導(dǎo)體激光器的光譜分布； 3、測(cè)試其他光的光譜分布；

寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等突出優(yōu)點(diǎn)，能滿足下一代電力電子裝備對(duì)功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應(yīng)用于混合動(dòng)力車輛、電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能發(fā)電、列車牽引設(shè)備、高壓直流輸電設(shè)備以及艦艇、飛機(jī)等軍事設(shè)備的功率電子系統(tǒng)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)硅功率器件相比，目前已實(shí)用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，大幅度降低系統(tǒng)體積和重量，因此SiC功率器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前基于國(guó)內(nèi)工藝平臺(tái)制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區(qū)面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于全息波導(dǎo)的頭戴式顯示器件，該器件包括入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）；入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、貼附于矩形波導(dǎo)（５）的上表面或下表面；入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）貼于上表面或下表面由出入瞳光線設(shè)計(jì)方向決定。本發(fā)明利用光瞳重塑方式解決了傳統(tǒng)二維擴(kuò)瞳方式產(chǎn)生的大視場(chǎng)角情況下的視場(chǎng)分離。

傳統(tǒng)PZT壓電陶瓷應(yīng)用廣泛，但在居里溫度較低，環(huán)境溫度較高時(shí)，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應(yīng)用范圍的進(jìn)一步拓展，一些極端條件對(duì)壓電陶瓷的應(yīng)用提出了新的挑戰(zhàn)。北京大學(xué)工學(xué)院實(shí)驗(yàn)室利用高居里點(diǎn)的鈧酸鉍-鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于d31模式和d33模式的應(yīng)用于高溫環(huán)境中的壓電振動(dòng)能量回收器，器件可以穩(wěn)定地工作在150℃以上的高溫環(huán)境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數(shù)和相應(yīng)的輸出功率比室溫時(shí)提高一倍以上。 與壓電能量回收器不同的是，壓電驅(qū)動(dòng)器是一種利用壓電效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能實(shí)現(xiàn)納米級(jí)驅(qū)動(dòng)的器件，壓電驅(qū)動(dòng)器利用壓電材料的準(zhǔn)靜態(tài)逆壓電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)10微米至100微米的微小位移；同時(shí)，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動(dòng)效應(yīng)制備高溫壓電馬達(dá)。

本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。

項(xiàng)目概況 針對(duì)小型化、集成化、高頻率和高運(yùn)算速度的電子器件，應(yīng)用磁流體的熱磁對(duì)流效應(yīng)，把磁流體作為新一代高效傳熱冷卻技術(shù)用于高密度高功率電子器件設(shè)備中。 主要特點(diǎn) 1. 選擇合適的外加磁場(chǎng)和屏蔽技術(shù)。 2．溫度區(qū)內(nèi)磁場(chǎng)梯度條件和粒子濃度的準(zhǔn)確控制 3．磁流體微型熱管散熱過(guò)程的磁場(chǎng)的準(zhǔn)確定位。 技術(shù)指標(biāo)     建立適合電子器件密集環(huán)境下適用磁流體散熱技術(shù)及相應(yīng)的磁場(chǎng)條件和屏蔽技術(shù)，提高了磁流體在磁場(chǎng)、熱場(chǎng)和重力場(chǎng)協(xié)同作用下的流動(dòng)傳熱效果。促進(jìn)節(jié)能環(huán)保技術(shù)的發(fā)展，達(dá)到節(jié)能減排的綠色材料應(yīng)用。市場(chǎng)前景 目前該項(xiàng)目已通過(guò)現(xiàn)場(chǎng)的工業(yè)化證明，散熱效果好，能達(dá)到電子器件冷卻要求，滿足工業(yè)生產(chǎn)的需求，在生產(chǎn)過(guò)程中無(wú)污染，無(wú)三廢排放。該項(xiàng)目可應(yīng)用于高密度、高功率電子器件密集環(huán)境下的散熱設(shè)備中，具有較好的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。

隨著集成電路的發(fā)展，功耗問(wèn)題越來(lái)越成為制約的瓶頸問(wèn)題。特別是在即將到來(lái)的萬(wàn)物互聯(lián)智能時(shí)代，物聯(lián)網(wǎng)、生物醫(yī)療、可穿戴設(shè)備和人工智能等新興領(lǐng)域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態(tài)功耗。面向未來(lái)龐大的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來(lái)越多的關(guān)注。受玻爾茲曼限制，傳統(tǒng)晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關(guān)鍵因素，基于傳統(tǒng)CMOS晶體管的集成電路已經(jīng)無(wú)法滿足物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)等對(duì)極低功耗的需求。 本項(xiàng)目基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進(jìn)一步研發(fā)具有極低功耗的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統(tǒng)晶體管的量子帶帶隧穿機(jī)制，可突破亞閾擺幅極限，同時(shí)獲得比傳統(tǒng)晶體管低2個(gè)量級(jí)以上的關(guān)態(tài)電流性能，具備極其優(yōu)越的低靜態(tài)功耗性能。通過(guò)超陡亞閾擺幅器件及電路技術(shù)的研究和突破，可促進(jìn)我國(guó)物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，顯著提高物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的工作時(shí)間，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和芯片性能的提高帶來(lái)電路及其芯片的散熱問(wèn)題日益突出。研究表明：電子器件工作溫度在70～80℃水平時(shí)，每增加1℃，其可靠性就降低5%。同時(shí)由于芯片的不斷集成化和微型化，導(dǎo)致散熱量的迅速增加，傳統(tǒng)的冷卻技術(shù)已經(jīng)不能滿足散熱要求。本技術(shù)開(kāi)發(fā)了一種制冷劑閃蒸噴霧高效冷卻循環(huán)系統(tǒng)，利用閃蒸霧化和相變傳熱技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了低溫高效換熱，傳熱系數(shù)高達(dá)26533W/(m2·K)，表面溫度在低于60攝氏度熱流密度即可超過(guò)100W/cm2（而常規(guī)水冷條件下元器件表面溫度超過(guò)150攝氏度）。