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一種基于光學(xué)天線的片上無線光通信系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種基于光學(xué)天線的片上無線光通信系統(tǒng)，現(xiàn)有關(guān)于光學(xué)頻段天線的發(fā)明與研究多是基于諸如透鏡、反射鏡等傳統(tǒng)光學(xué)器件，這些設(shè)計只適用于較大的光學(xué)范圍。本發(fā)明利用金屬光學(xué)天線自身的定向輻射特性，采用片上系統(tǒng)集成的方式，將光學(xué)天線發(fā)射基站、反射單元、光學(xué)天線中繼單元以及光學(xué)天線接收終端構(gòu)成基于光學(xué)天線的片上無線光通信系統(tǒng)。該系統(tǒng)能夠大大降低通信網(wǎng)絡(luò)中器件的串?dāng)_與功耗，同時使得系統(tǒng)空間響應(yīng)大大減小達(dá)到亞波長量級，進(jìn)而提高整個光纖通信網(wǎng)絡(luò)的傳輸帶寬與響應(yīng)速度。
浙江大學(xué)
2021-04-11
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一種汽車剎車片厚度實時檢測系統(tǒng)及其檢測方法
簡介：本發(fā)明公開了一種汽車剎車片厚度實時檢測系統(tǒng)及其檢測方法，屬于汽車剎車系統(tǒng)領(lǐng)域。本發(fā)明的剎車卡鉗上均設(shè)置有兩個渦流傳感器，用于實時檢測剎車片的厚度信號，渦流傳感器與采樣電阻、傳感器電源開關(guān)依次串聯(lián)后接入傳感器電源兩側(cè)，通過采樣電阻將渦流傳感器采集的電流信號轉(zhuǎn)換為電壓信號，并將采樣電阻接入信號處理模塊的輸入端，信號處理模塊用于計算剎車片的厚度，顯示模塊與信號處理模塊相連接，用于顯示剎車片的厚度信息，且信號處理模塊的輸出端接有聲光警報裝置。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，測量精度高，相比接觸式開關(guān)原理的剎車片磨損檢測系統(tǒng)，能夠提供更多的關(guān)鍵信息，而且實施方便，通用性高，增加了駕駛員的安全掌控能力。
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-13
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一種微機(jī)電系統(tǒng)的圓片級真空封裝工藝
一種微機(jī)電系統(tǒng)的圓片級真空封裝工藝，屬于微機(jī)電系統(tǒng)的封裝方法，解決現(xiàn)有基于薄膜淀積真空封裝工藝所存在的淀積薄膜較薄、腔體小，容易損壞，以及封裝器件存在真空泄露、使用壽命降低的問題。本發(fā)明順序包括：淀積吸氣劑步驟；淀積薄犧牲層步驟；淀積緩沖腔犧牲層步驟；淀積厚犧牲層步驟；制作封裝蓋步驟；刻蝕釋放孔步驟；去除犧牲層步驟和密封步驟。本發(fā)明解決了現(xiàn)有封裝方法存在的真空保持時間短，密封質(zhì)量低，封裝尺寸大，工藝與標(biāo)準(zhǔn) IC 工藝不兼容，成本高的問題，從而保證最里面的腔體氣壓；同時成本少于基于圓片鍵合工藝的真空封
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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芊生緣牌沙棘綠豆排鉛咀嚼片(暫定名)
我國保健食品發(fā)展很迅速，與鉛中毒―防重于治‖發(fā)展趨勢吻合的 排鉛消食保健食品將成為新經(jīng)濟(jì)增長點。該產(chǎn)品經(jīng)具有國家保健食品評價資質(zhì)的湖南疾病預(yù)防控制中心 動物功能評價結(jié)果提示對動物具有促進(jìn)排鉛的功能，人體試食提示具 有促進(jìn)排鉛功能，安全性評價提示 30 天喂養(yǎng)對大鼠未見明顯毒副作 用。該產(chǎn)品除了具有排鉛的功能還有消食的功能。該產(chǎn)品 2015 年已經(jīng)報國家保健食品審評中心評審，根據(jù) 2018 年 5&nbs
蘭州大學(xué)
2021-04-14
芊生緣牌沙棘綠豆排鉛咀嚼片(暫定名)
該產(chǎn)品經(jīng)具有國家保健食品評價資質(zhì)的湖南疾病預(yù)防控制中心動物功能評價結(jié)果提示對動物具有促進(jìn)排鉛的功能，人體試食提示具 有促進(jìn)排鉛功能。
蘭州大學(xué)
2021-01-12
抗工藝漲落的自修調(diào)集成電路片上振蕩器
本發(fā)明公開了一種抗工藝漲落的自修調(diào)集成電路片上振蕩器，包括集成于同一芯片的用于產(chǎn)生基準(zhǔn)脈沖的基準(zhǔn)振蕩單元，用于產(chǎn)生輸出脈沖的待修調(diào)振蕩單元，以及用于接收基準(zhǔn)脈沖和輸出脈沖，并根據(jù)接收到的基準(zhǔn)脈沖和輸出脈沖向待修調(diào)振蕩單元發(fā)出相應(yīng)的修調(diào)信號，控制待修調(diào)振蕩單元對輸出脈沖進(jìn)行頻率修調(diào)的自修調(diào)邏輯控制單元。由可片內(nèi)集成的基準(zhǔn)振蕩單元提供頻率調(diào)修所需的基準(zhǔn)脈沖，并在修調(diào)完成后關(guān)閉基準(zhǔn)振蕩單元，實現(xiàn)了輸出頻率的片內(nèi)自修調(diào)，避免片外修調(diào)，有利于降低芯片制備成本。且硬件結(jié)構(gòu)簡單，容易實現(xiàn)，并在不修調(diào)時，關(guān)閉基準(zhǔn)振蕩單元，降低芯片的功耗。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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一種噴射沉積成形制備大塊非晶合金的方法
霧化噴射沉積成形技術(shù)近年來被廣泛用于研究和發(fā)展高性能的快速凝固材料。該技術(shù)最突出的創(chuàng)新點在于，將液態(tài)金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結(jié)合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術(shù)。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過程。其基本特點是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進(jìn)的過程。在多年研究噴射成形技術(shù)的基礎(chǔ)上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術(shù)成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國際上迄今報導(dǎo)的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測試結(jié)果表明，沉積態(tài)La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過冷液相區(qū)寬度DTx和約化玻璃轉(zhuǎn)變溫度Trg均高于單輥旋轉(zhuǎn)熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國發(fā)明專利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟(jì)山，陳國良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專利號：ZL200510086239.6。“高熔點高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術(shù)”，獲中國有色金屬工業(yè)科學(xué)技術(shù)獎一等獎（2003.12）。
北京科技大學(xué)
2021-04-11
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晶圓級二維半導(dǎo)體單晶薄膜外延生長的研究
主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)正面臨短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，需要開發(fā)基于新材料和新原理的晶體管技術(shù)來延續(xù)摩爾定律。高遷移率二維半導(dǎo)體因其超薄的平面結(jié)構(gòu)和獨特的電子學(xué)性質(zhì)，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數(shù)字集成電路的理想溝道材料，進(jìn)一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導(dǎo)體單晶薄膜的大面積制備尤為關(guān)鍵與重要。然而，現(xiàn)有二維半導(dǎo)體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現(xiàn)實要求，因此亟需實現(xiàn)晶圓級二維半導(dǎo)體單晶薄膜制備技術(shù)的突破。 該研究瞄準(zhǔn)二維半導(dǎo)體材料的晶圓級單晶制備，率先實現(xiàn)了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定的二維半導(dǎo)體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設(shè)計搭建的雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現(xiàn)出優(yōu)異的材料和電學(xué)均勻性，可被用于批量構(gòu)筑高性能場效應(yīng)晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標(biāo)準(zhǔn)頂柵型場效應(yīng)晶體管展現(xiàn)了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關(guān)比（>105）和較高的開態(tài)電流（45μA/μm）。相關(guān)成果發(fā)表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大學(xué)
2021-04-11
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一種超硬非晶碳薄膜的制備裝置和工藝
項目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學(xué)特性，在碳基薄膜中，是目前國際上公認(rèn)的SP3鍵含量最高，超過85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達(dá)到HV≥85Gpa，可見光和紅外光透明，透光率達(dá)97%，吸收紫外光，達(dá)98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達(dá)0.2nm，摩擦系數(shù)≤0.08，電阻率達(dá)（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導(dǎo)率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術(shù)和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機(jī)滑塊，滑動環(huán)等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測量的靈敏度。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
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淺色導(dǎo)電納米晶須及白色復(fù)合導(dǎo)電纖維的制備技術(shù)
成功開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的新型淺色導(dǎo)電晶須，用晶須替代納米顆粒作為 基體制備導(dǎo)電填料加入纖維基體中，具有比導(dǎo)電超細(xì)顆粒更好的分散性，而且由 于晶須是棒狀結(jié)構(gòu)，分散在纖維中可以通過搭接的方式首尾相接，更利于纖維導(dǎo) 電。淺色導(dǎo)電晶須的開發(fā)研究對白色導(dǎo)電纖維的制備提供了理論和實踐基礎(chǔ)，葛 明橋教授團(tuán)隊開發(fā)的白色導(dǎo)電纖維經(jīng)檢測達(dá)到 109?（熔融紡絲）和 106?（濕法 紡絲）達(dá)到導(dǎo)電纖維要求，是國內(nèi)導(dǎo)電纖維領(lǐng)域的一項重大突破，可提高白色導(dǎo) 電纖維自產(chǎn)率，應(yīng)用前景廣闊。 2 關(guān)鍵技術(shù) （1）將高速攪拌與化學(xué)共沉積法結(jié)合，制備出的淺色導(dǎo)電二氧化鈦納米晶 須的電阻率達(dá)到了 103 ??cm。 （2）將納米晶須添加入紡絲液中，通過濕法紡絲方法制備出復(fù)合導(dǎo)電纖維，315 該種纖維的電阻達(dá)到了 106?。 （3）與企業(yè)合作制備導(dǎo)電母粒，進(jìn)而通過熔融紡絲方法制備出各種復(fù)合結(jié) 構(gòu)的導(dǎo)電纖維，該種纖維的電阻達(dá)到了 109?。 3 知識產(chǎn)權(quán)及項目獲獎情況 發(fā)表學(xué)術(shù)論文 9 篇；申請專利 6 項 4 項目成熟度 建立了 50L 的納米晶須合成反應(yīng)釜，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn) 5 投資期望及應(yīng)用情況 目前已與部分企業(yè)合作，成功制備該導(dǎo)電材料并應(yīng)用于化纖、纖維素等。
江南大學(xué)
2021-04-13